Číslo produktu výrobce:
FDMS86183
Product Overview
Výrobce:
onsemi
Číslo dílu:
FDMS86183-DG
Popis:
MOSFET N-CH 100V 51A 8PQFN
Podrobný popis:
N-Channel 100 V 51A (Tc) 63W (Tc) Surface Mount 8-PQFN (5x6)
Inventář:
3234 Ks Nový Originál Skladem
12838313
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
FDMS86183 Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
onsemi
Balení
Tape & Reel (TR)
Řada
PowerTrench®
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
100 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
51A (Tc)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
6V, 10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
12.8mOhm @ 16A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 90µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
14 nC @ 6 V
VGS (Max)
±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1515 pF @ 50 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
63W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček zařízení dodavatele
8-PQFN (5x6)
Balení / pouzdro
8-PowerTDFN
Základní číslo výrobku
FDMS86
Technický list a dokumenty
Další informace
Standardní balíček
3,000
Další jména
FDMS86183DKR
FDMS86183TR
FDMS86183CT
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikace
Související produkty
FDMS86369-F085
MOSFET N-CH 80V 65A POWER56
EFC6604R-A-TR
MOSFET N-CH 24V 6A EFCP
HUFA76639S3ST
MOSFET N-CH 100V 51A D2PAK