Domů
Produkty
Výrobci
O DiGi
Kontaktujte nás
Blogy a příspěvky
Žádost o cenovou nabídku / Nabídka
Czech
Přihlásit se
Výběrový jazyk
Aktuální jazyk dle vašeho výběru:
Czech
Přepnout:
Angličtina
Evropa
Spojené království
Francie
Španělsko
Turecko
Moldavsko
Litva
Norsko
Německo
Portugalsko
Slovensko
LTALY
Finsko
Ruština
Bulharsko
Dánsko
Estonsko
Polsko
Ukrajina
Slovinsko
Čeština
Řečtina
Chorvatsko
Izrael
Srbsko
Bělorusko
Nizozemsko
Švédsko
Černá Hora
Baskičtina
Island
Bosna
Maďarština
Rumunsko
Rakousko
Belgie
Irsko
Asie / Tichomoří
Čína
Vietnam
Indonésie
Thajsko
Laos
Filipínština
Malajsie
Korea
Japonsko
Hongkong
Tchaj-wan
Singapur
Pákistán
Saúdská Arábie
Katar
Kuvajt
Kambodža
Myanmar
Afrika, Indie a Střední východ
Spojené arabské emiráty
Tádžikistán
Madagaskar
Indie
Írán
DR Kongo
Jihoafrická republika
Egypt
Keňa
Tanzanie
Ghana
Senegal
Maroko
Tunisko
Jižní Amerika / Oceánie
Nový Zéland
Angola
Brazílie
Mosambik
Peru
Kolumbie
Chile
Venezuela
Ekvádor
Bolívie
Uruguay
Argentina
Paraguay
Austrálie
Severní Amerika
Spojené státy americké
Haiti
Kanada
Kostarika
Mexiko
O DiGi
O nás
O nás
Naše certifikace
DiGi Úvod
Proč DiGi
Politika
Kvalitní politika
Podmínky použití
Soulad s RoHS
Proces vrácení
Zdroje
Kategorie produktů
Výrobci
Blogy a příspěvky
Služby
Záruční doba kvality
Způsob platby
Globální zásilka
Ceny za přepravu
Časté dotazy
Číslo produktu výrobce:
FQB50N06TM
Product Overview
Výrobce:
onsemi
Číslo dílu:
FQB50N06TM-DG
Popis:
MOSFET N-CH 60V 50A D2PAK
Podrobný popis:
N-Channel 60 V 50A (Tc) 3.75W (Ta), 120W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Inventář:
Poptejte online
12838326
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
*
Společnost
*
Jméno kontaktu
*
Telefon
*
E-mail
Dodací adresa
Zpráva
(
*
) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
FQB50N06TM Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
onsemi
Balení
-
Řada
QFET®
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
60 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
50A (Tc)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
22mOhm @ 25A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 250µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
41 nC @ 10 V
VGS (Max)
±25V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1540 pF @ 25 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
3.75W (Ta), 120W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček zařízení dodavatele
TO-263 (D2PAK)
Balení / pouzdro
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Základní číslo výrobku
FQB50N06
Technický list a dokumenty
Katalogové listy
FQB50N06TM Datasheet
Další informace
Standardní balíček
800
Další jména
FQB50N06TM-DG
FQB50N06TMFSDKR
FQB50N06TMFSCT
2156-FQB50N06TM-OS
FQB50N06TMFSTR
2832-FQB50N06TM
FAIFSCFQB50N06TM
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativní modely
ČÍSLO DÍLU
HUF75545S3ST
VÝROBCE
onsemi
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
6270
DiGi ČÍSLO DÍLU
HUF75545S3ST-DG
CENY ZA JEDNOTKU
1.50
Druh náhrady
Similar
ČÍSLO DÍLU
IRFZ44NSTRLPBF
VÝROBCE
Infineon Technologies
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
22314
DiGi ČÍSLO DÍLU
IRFZ44NSTRLPBF-DG
CENY ZA JEDNOTKU
0.56
Druh náhrady
Similar
ČÍSLO DÍLU
IRLZ44SPBF
VÝROBCE
Vishay Siliconix
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
565
DiGi ČÍSLO DÍLU
IRLZ44SPBF-DG
CENY ZA JEDNOTKU
1.26
Druh náhrady
Similar
ČÍSLO DÍLU
IRFZ48RSPBF
VÝROBCE
Vishay Siliconix
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
7785
DiGi ČÍSLO DÍLU
IRFZ48RSPBF-DG
CENY ZA JEDNOTKU
1.51
Druh náhrady
Similar
ČÍSLO DÍLU
STB55NF06LT4
VÝROBCE
STMicroelectronics
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
330
DiGi ČÍSLO DÍLU
STB55NF06LT4-DG
CENY ZA JEDNOTKU
0.71
Druh náhrady
Similar
DIGI Certifikace
Související produkty
FQPF7N65C
MOSFET N-CH 650V 7A TO220F
FQB12N60TM_AM002
MOSFET N-CH 600V 10.5A D2PAK
FQP22P10
MOSFET P-CH 100V 22A TO220-3
HUFA75307T3ST
MOSFET N-CH 55V 2.6A SOT223-4