Číslo produktu výrobce:
FDP047N08
Product Overview
Výrobce:
onsemi
Číslo dílu:
FDP047N08-DG
Popis:
MOSFET N-CH 75V 164A TO220-3
Podrobný popis:
N-Channel 75 V 164A (Tc) 268W (Tc) Through Hole TO-220-3
Inventář:
4680 Ks Nový Originál Skladem
12847162
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
FDP047N08 Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
onsemi
Balení
Tube
Řada
PowerTrench®
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
75 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
164A (Tc)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
4.7mOhm @ 80A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4.5V @ 250µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
152 nC @ 10 V
VGS (Max)
±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
9415 pF @ 25 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
268W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček zařízení dodavatele
TO-220-3
Balení / pouzdro
TO-220-3
Základní číslo výrobku
FDP047
Technický list a dokumenty
Další informace
Standardní balíček
50
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
Not Applicable
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikace
Související produkty
FDMC2610
MOSFET N-CH 200V 2.2A/9.5A 8MLP
NTGS3433T1G
MOSFET P-CH 12V 2.35A 6TSOP
FDS6609A
MOSFET P-CH 30V 6.3A 8SOIC
