Domů
Produkty
Výrobci
O DiGi
Kontaktujte nás
Blogy a příspěvky
Žádost o cenovou nabídku / Nabídka
Czech
Přihlásit se
Výběrový jazyk
Aktuální jazyk dle vašeho výběru:
Czech
Přepnout:
Angličtina
Evropa
Spojené království
Francie
Španělsko
Turecko
Moldavsko
Litva
Norsko
Německo
Portugalsko
Slovensko
LTALY
Finsko
Ruština
Bulharsko
Dánsko
Estonsko
Polsko
Ukrajina
Slovinsko
Čeština
Řečtina
Chorvatsko
Izrael
Srbsko
Bělorusko
Nizozemsko
Švédsko
Černá Hora
Baskičtina
Island
Bosna
Maďarština
Rumunsko
Rakousko
Belgie
Irsko
Asie / Tichomoří
Čína
Vietnam
Indonésie
Thajsko
Laos
Filipínština
Malajsie
Korea
Japonsko
Hongkong
Tchaj-wan
Singapur
Pákistán
Saúdská Arábie
Katar
Kuvajt
Kambodža
Myanmar
Afrika, Indie a Střední východ
Spojené arabské emiráty
Tádžikistán
Madagaskar
Indie
Írán
DR Kongo
Jihoafrická republika
Egypt
Keňa
Tanzanie
Ghana
Senegal
Maroko
Tunisko
Jižní Amerika / Oceánie
Nový Zéland
Angola
Brazílie
Mosambik
Peru
Kolumbie
Chile
Venezuela
Ekvádor
Bolívie
Uruguay
Argentina
Paraguay
Austrálie
Severní Amerika
Spojené státy americké
Haiti
Kanada
Kostarika
Mexiko
O DiGi
O nás
O nás
Naše certifikace
DiGi Úvod
Proč DiGi
Politika
Kvalitní politika
Podmínky použití
Soulad s RoHS
Proces vrácení
Zdroje
Kategorie produktů
Výrobci
Blogy a příspěvky
Služby
Záruční doba kvality
Způsob platby
Globální zásilka
Ceny za přepravu
Časté dotazy
Číslo produktu výrobce:
FDP51N25
Product Overview
Výrobce:
onsemi
Číslo dílu:
FDP51N25-DG
Popis:
MOSFET N-CH 250V 51A TO220-3
Podrobný popis:
N-Channel 250 V 51A (Tc) 320W (Tc) Through Hole TO-220-3
Inventář:
Poptejte online
12848405
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
*
Společnost
*
Jméno kontaktu
*
Telefon
*
E-mail
Dodací adresa
Zpráva
(
*
) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
FDP51N25 Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
onsemi
Balení
Tube
Řada
UniFET™
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
250 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
51A (Tc)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
60mOhm @ 25.5A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
5V @ 250µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
70 nC @ 10 V
VGS (Max)
±30V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
3410 pF @ 25 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
320W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček zařízení dodavatele
TO-220-3
Balení / pouzdro
TO-220-3
Základní číslo výrobku
FDP51
Technický list a dokumenty
Katalogové listy
FDP51N25, FDPF51N25
Technické listy
FDP51N25
HTML Datový list
FDP51N25-DG
Další informace
Standardní balíček
50
Další jména
2156-FDP51N25-OS
ONSONSFDP51N25
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
Not Applicable
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativní modely
ČÍSLO DÍLU
IXTP50N25T
VÝROBCE
IXYS
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
533
DiGi ČÍSLO DÍLU
IXTP50N25T-DG
CENY ZA JEDNOTKU
2.35
Druh náhrady
Similar
ČÍSLO DÍLU
SUP40N25-60-E3
VÝROBCE
Vishay Siliconix
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
475
DiGi ČÍSLO DÍLU
SUP40N25-60-E3-DG
CENY ZA JEDNOTKU
2.17
Druh náhrady
Similar
ČÍSLO DÍLU
IPP600N25N3GXKSA1
VÝROBCE
Infineon Technologies
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
647
DiGi ČÍSLO DÍLU
IPP600N25N3GXKSA1-DG
CENY ZA JEDNOTKU
1.36
Druh náhrady
Similar
ČÍSLO DÍLU
IXFP30N25X3
VÝROBCE
IXYS
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
100
DiGi ČÍSLO DÍLU
IXFP30N25X3-DG
CENY ZA JEDNOTKU
3.18
Druh náhrady
Similar
ČÍSLO DÍLU
IXFP26N30X3
VÝROBCE
IXYS
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
521
DiGi ČÍSLO DÍLU
IXFP26N30X3-DG
CENY ZA JEDNOTKU
2.08
Druh náhrady
Similar
DIGI Certifikace
Související produkty
FDPF3860T
MOSFET N-CH 100V 20A TO220F
RFD10P03LSM
MOSFET P-CH 30V 10A TO252-3
BSS84
MOSFET P-CH 50V 130MA SOT23-3
FDB070AN06A0
MOSFET N-CH 60V 15A/80A D2PAK