Domů
Produkty
Výrobci
O DiGi
Kontaktujte nás
Blogy a příspěvky
Žádost o cenovou nabídku / Nabídka
Czech
Přihlásit se
Výběrový jazyk
Aktuální jazyk dle vašeho výběru:
Czech
Přepnout:
Angličtina
Evropa
Spojené království
Francie
Španělsko
Turecko
Moldavsko
Litva
Norsko
Německo
Portugalsko
Slovensko
LTALY
Finsko
Ruština
Bulharsko
Dánsko
Estonsko
Polsko
Ukrajina
Slovinsko
Čeština
Řečtina
Chorvatsko
Izrael
Srbsko
Bělorusko
Nizozemsko
Švédsko
Černá Hora
Baskičtina
Island
Bosna
Maďarština
Rumunsko
Rakousko
Belgie
Irsko
Asie / Tichomoří
Čína
Vietnam
Indonésie
Thajsko
Laos
Filipínština
Malajsie
Korea
Japonsko
Hongkong
Tchaj-wan
Singapur
Pákistán
Saúdská Arábie
Katar
Kuvajt
Kambodža
Myanmar
Afrika, Indie a Střední východ
Spojené arabské emiráty
Tádžikistán
Madagaskar
Indie
Írán
DR Kongo
Jihoafrická republika
Egypt
Keňa
Tanzanie
Ghana
Senegal
Maroko
Tunisko
Jižní Amerika / Oceánie
Nový Zéland
Angola
Brazílie
Mosambik
Peru
Kolumbie
Chile
Venezuela
Ekvádor
Bolívie
Uruguay
Argentina
Paraguay
Austrálie
Severní Amerika
Spojené státy americké
Haiti
Kanada
Kostarika
Mexiko
O DiGi
O nás
O nás
Naše certifikace
DiGi Úvod
Proč DiGi
Politika
Kvalitní politika
Podmínky použití
Soulad s RoHS
Proces vrácení
Zdroje
Kategorie produktů
Výrobci
Blogy a příspěvky
Služby
Záruční doba kvality
Způsob platby
Globální zásilka
Ceny za přepravu
Časté dotazy
Číslo produktu výrobce:
FDS6680A
Product Overview
Výrobce:
onsemi
Číslo dílu:
FDS6680A-DG
Popis:
MOSFET N-CH 30V 12.5A 8SOIC
Podrobný popis:
N-Channel 30 V 12.5A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SOIC
Inventář:
2496 Ks Nový Originál Skladem
12836900
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
*
Společnost
*
Jméno kontaktu
*
Telefon
*
E-mail
Dodací adresa
Zpráva
(
*
) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
FDS6680A Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
onsemi
Balení
Tape & Reel (TR)
Řada
PowerTrench®
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
30 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
12.5A (Ta)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
4.5V, 10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
9.5mOhm @ 12.5A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
3V @ 250µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
23 nC @ 5 V
VGS (Max)
±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1620 pF @ 15 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
2.5W (Ta)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček zařízení dodavatele
8-SOIC
Balení / pouzdro
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Základní číslo výrobku
FDS6680
Technický list a dokumenty
Katalogové listy
FDS6680A
Technické listy
FDS6680A
HTML Datový list
FDS6680A-DG
Další informace
Standardní balíček
2,500
Další jména
FDS6680ACT-NDR
FDS6680ACT
FDS6680ATR
FDS6680ADKR
FDS6680ATR-NDR
2832-FDS6680ATR
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativní modely
ČÍSLO DÍLU
FDS4470
VÝROBCE
Fairchild Semiconductor
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
193682
DiGi ČÍSLO DÍLU
FDS4470-DG
CENY ZA JEDNOTKU
0.85
Druh náhrady
Similar
ČÍSLO DÍLU
AO4476A
VÝROBCE
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
109358
DiGi ČÍSLO DÍLU
AO4476A-DG
CENY ZA JEDNOTKU
0.20
Druh náhrady
Similar
ČÍSLO DÍLU
IRF7821TRPBF
VÝROBCE
Infineon Technologies
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
16602
DiGi ČÍSLO DÍLU
IRF7821TRPBF-DG
CENY ZA JEDNOTKU
0.37
Druh náhrady
Similar
ČÍSLO DÍLU
BSO110N03MSGXUMA1
VÝROBCE
Infineon Technologies
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
7364
DiGi ČÍSLO DÍLU
BSO110N03MSGXUMA1-DG
CENY ZA JEDNOTKU
0.32
Druh náhrady
Similar
ČÍSLO DÍLU
DMN3010LSS-13
VÝROBCE
Diodes Incorporated
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
2390
DiGi ČÍSLO DÍLU
DMN3010LSS-13-DG
CENY ZA JEDNOTKU
0.22
Druh náhrady
Similar
DIGI Certifikace
Související produkty
FDMS8320LDC
MOSFET N-CH 40V 44A DLCOOL56
FQB19N20CTM
MOSFET N-CH 200V 19A D2PAK
FQB13N06TM
MOSFET N-CH 60V 13A D2PAK
FDMS8690
MOSFET N-CH 30V 14A/27A 8MLP