FDS8870
Číslo produktu výrobce:

FDS8870

Product Overview

Výrobce:

onsemi

Číslo dílu:

FDS8870-DG

Popis:

MOSFET N-CH 30V 18A 8SOIC
Podrobný popis:
N-Channel 30 V 18A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SOIC

Inventář:

2621 Ks Nový Originál Skladem
12848076
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat

FDS8870 Technické specifikace

Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
onsemi
Balení
Tape & Reel (TR)
Řada
PowerTrench®
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
30 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
18A (Ta)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
4.5V, 10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
4.2mOhm @ 18A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2.5V @ 250µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
112 nC @ 10 V
VGS (Max)
±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
4615 pF @ 15 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
2.5W (Ta)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček zařízení dodavatele
8-SOIC
Balení / pouzdro
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Základní číslo výrobku
FDS88

Technický list a dokumenty

Katalogové listy

Další informace

Standardní balíček
2,500
Další jména
FDS8870FSTR
FDS8870FSCT
FAIFSCFDS8870
FDS8870-DG
2156-FDS8870-OS
FDS8870FSDKR

Klasifikace životního prostředí a exportu

Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikace
Související produkty
onsemi

FQP11N50CF

MOSFET N-CH 500V 11A TO220-3

infineon-technologies

BSO080P03SNTMA1

MOSFET P-CH 30V 12.6A 8DSO

onsemi

FDB52N20TM

MOSFET N-CH 200V 52A D2PAK

onsemi

FDMA8878

MOSFET N-CH 30V 9A/10A 6MICROFET