Číslo produktu výrobce:
FQP11N50CF
Product Overview
Výrobce:
onsemi
Číslo dílu:
FQP11N50CF-DG
Popis:
MOSFET N-CH 500V 11A TO220-3
Podrobný popis:
N-Channel 500 V 11A (Tc) 195W (Tc) Through Hole TO-220-3
Inventář:
12848077
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
FQP11N50CF Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
onsemi
Balení
-
Řada
FRFET®
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
500 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
11A (Tc)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
550mOhm @ 5.5A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 250µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
55 nC @ 10 V
VGS (Max)
±30V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
2055 pF @ 25 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
195W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček zařízení dodavatele
TO-220-3
Balení / pouzdro
TO-220-3
Základní číslo výrobku
FQP1
Technický list a dokumenty
Technické listy
HTML Datový list
Další informace
Standardní balíček
50
Klasifikace životního prostředí a exportu
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativní modely
ČÍSLO DÍLU
IXFP12N50P
VÝROBCE
IXYS
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
300
DiGi ČÍSLO DÍLU
IXFP12N50P-DG
CENY ZA JEDNOTKU
1.71
Druh náhrady
Similar
ČÍSLO DÍLU
STP11NK50Z
VÝROBCE
STMicroelectronics
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
826
DiGi ČÍSLO DÍLU
STP11NK50Z-DG
CENY ZA JEDNOTKU
1.27
Druh náhrady
Similar
ČÍSLO DÍLU
IRFB11N50APBF
VÝROBCE
Vishay Siliconix
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
2122
DiGi ČÍSLO DÍLU
IRFB11N50APBF-DG
CENY ZA JEDNOTKU
0.98
Druh náhrady
Similar
DIGI Certifikace
Související produkty
BSO080P03SNTMA1
MOSFET P-CH 30V 12.6A 8DSO
FDB52N20TM
MOSFET N-CH 200V 52A D2PAK
FDMA8878
MOSFET N-CH 30V 9A/10A 6MICROFET
