Číslo produktu výrobce:
FQA18N50V2
Product Overview
Výrobce:
onsemi
Číslo dílu:
FQA18N50V2-DG
Popis:
MOSFET N-CH 500V 20A TO3P
Podrobný popis:
N-Channel 500 V 20A (Tc) 277W (Tc) Through Hole TO-3P
Inventář:
12850368
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
FQA18N50V2 Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
onsemi
Balení
-
Řada
QFET®
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
500 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
20A (Tc)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
265mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
5V @ 250µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
55 nC @ 10 V
VGS (Max)
±30V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
3290 pF @ 25 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
277W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček zařízení dodavatele
TO-3P
Balení / pouzdro
TO-3P-3, SC-65-3
Základní číslo výrobku
FQA1
Technický list a dokumenty
Technické listy
HTML Datový list
Další informace
Standardní balíček
450
Klasifikace životního prostředí a exportu
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativní modely
ČÍSLO DÍLU
IXTQ26N50P
VÝROBCE
IXYS
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
0
DiGi ČÍSLO DÍLU
IXTQ26N50P-DG
CENY ZA JEDNOTKU
3.47
Druh náhrady
Similar
ČÍSLO DÍLU
STW19NM50N
VÝROBCE
STMicroelectronics
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
337
DiGi ČÍSLO DÍLU
STW19NM50N-DG
CENY ZA JEDNOTKU
3.02
Druh náhrady
Similar
ČÍSLO DÍLU
FDA18N50
VÝROBCE
Fairchild Semiconductor
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
1564
DiGi ČÍSLO DÍLU
FDA18N50-DG
CENY ZA JEDNOTKU
1.66
Druh náhrady
Similar
DIGI Certifikace
Související produkty
FDFS2P103A
MOSFET P-CH 30V 5.3A 8SOIC
AOTF2610L
MOSFET N-CH 60V 9A/35A TO220-3F
FQPF15P12
MOSFET P-CH 120V 15A TO220F