Číslo produktu výrobce:
FQAF13N80
Product Overview
Výrobce:
onsemi
Číslo dílu:
FQAF13N80-DG
Popis:
MOSFET N-CH 800V 8A TO3PF
Podrobný popis:
N-Channel 800 V 8A (Tc) 120W (Tc) Through Hole TO-3PF
Inventář:
12850433
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
FQAF13N80 Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
onsemi
Balení
-
Řada
QFET®
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
800 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
8A (Tc)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
750mOhm @ 4A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
5V @ 250µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
88 nC @ 10 V
VGS (Max)
±30V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
3500 pF @ 25 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
120W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček zařízení dodavatele
TO-3PF
Balení / pouzdro
TO-3P-3 Full Pack
Základní číslo výrobku
FQAF13
Technický list a dokumenty
Další informace
Standardní balíček
30
Další jména
2156-FQAF13N80-OS
ONSONSFQAF13N80
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
Not Applicable
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativní modely
ČÍSLO DÍLU
STW10NK80Z
VÝROBCE
STMicroelectronics
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
39
DiGi ČÍSLO DÍLU
STW10NK80Z-DG
CENY ZA JEDNOTKU
2.27
Druh náhrady
Similar
DIGI Certifikace
Související produkty
FDMC510P-F106
MOSFET P-CH 20V 12A/18A 8WDFN
FQD7P06TM_NB82050
MOSFET P-CH 60V 5.4A DPAK
FDG332PZ
MOSFET P-CH 20V 2.6A SC88
