FQB6N60CTM
Číslo produktu výrobce:

FQB6N60CTM

Product Overview

Výrobce:

onsemi

Číslo dílu:

FQB6N60CTM-DG

Popis:

MOSFET N-CH 600V 5.5A D2PAK
Podrobný popis:
N-Channel 600 V 5.5A (Tc) 125W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)

Inventář:

12848047
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat

FQB6N60CTM Technické specifikace

Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
onsemi
Balení
-
Řada
QFET®
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
600 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
5.5A (Tc)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
2Ohm @ 2.75A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 250µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
20 nC @ 10 V
VGS (Max)
±30V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
810 pF @ 25 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
125W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček zařízení dodavatele
TO-263 (D2PAK)
Balení / pouzdro
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Základní číslo výrobku
FQB6

Technický list a dokumenty

Technické listy
HTML Datový list

Další informace

Standardní balíček
800

Klasifikace životního prostředí a exportu

Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Alternativní modely

ČÍSLO DÍLU
STB4NK60ZT4
VÝROBCE
STMicroelectronics
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
4369
DiGi ČÍSLO DÍLU
STB4NK60ZT4-DG
CENY ZA JEDNOTKU
0.77
Druh náhrady
Similar
DIGI Certifikace
Související produkty
onsemi

FDS3692

MOSFET N-CH 100V 4.5A 8SOIC

onsemi

FDMC2674

MOSFET N-CH 220V 1A/7A 8MLP

onsemi

FQP55N06

MOSFET N-CH 60V 55A TO220-3

onsemi

FDT86102LZ

MOSFET N-CH 100V 6.6A SOT223-4