Domů
Produkty
Výrobci
O DiGi
Kontaktujte nás
Blogy a příspěvky
Žádost o cenovou nabídku / Nabídka
Czech
Přihlásit se
Výběrový jazyk
Aktuální jazyk dle vašeho výběru:
Czech
Přepnout:
Angličtina
Evropa
Spojené království
DR Kongo
Argentina
Turecko
Rumunsko
Litva
Norsko
Rakousko
Angola
Slovensko
LTALY
Finsko
Bělorusko
Bulharsko
Dánsko
Estonsko
Polsko
Ukrajina
Slovinsko
Čeština
Řečtina
Chorvatsko
Izrael
Černá Hora
Ruština
Belgie
Švédsko
Srbsko
Baskičtina
Island
Bosna
Maďarština
Moldavsko
Německo
Nizozemsko
Irsko
Asie / Tichomoří
Čína
Vietnam
Indonésie
Thajsko
Laos
Filipínština
Malajsie
Korea
Japonsko
Hongkong
Tchaj-wan
Singapur
Pákistán
Saúdská Arábie
Katar
Kuvajt
Kambodža
Myanmar
Afrika, Indie a Střední východ
Spojené arabské emiráty
Tádžikistán
Madagaskar
Indie
Írán
Francie
Jihoafrická republika
Egypt
Keňa
Tanzanie
Ghana
Senegal
Maroko
Tunisko
Jižní Amerika / Oceánie
Nový Zéland
Portugalsko
Brazílie
Mosambik
Peru
Kolumbie
Chile
Venezuela
Ekvádor
Bolívie
Uruguay
Španělsko
Paraguay
Austrálie
Severní Amerika
Spojené státy americké
Haiti
Kanada
Kostarika
Mexiko
O DiGi
O nás
O nás
Naše certifikace
DiGi Úvod
Proč DiGi
Politika
Kvalitní politika
Podmínky použití
Soulad s RoHS
Proces vrácení
Zdroje
Kategorie produktů
Výrobci
Blogy a příspěvky
Služby
Záruční doba kvality
Způsob platby
Globální zásilka
Ceny za přepravu
Časté dotazy
Číslo produktu výrobce:
FQP55N06
Product Overview
Výrobce:
onsemi
Číslo dílu:
FQP55N06-DG
Popis:
MOSFET N-CH 60V 55A TO220-3
Podrobný popis:
N-Channel 60 V 55A (Tc) 133W (Tc) Through Hole TO-220-3
Inventář:
Poptejte online
12848061
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
*
Společnost
*
Jméno kontaktu
*
Telefon
*
E-mail
Dodací adresa
Zpráva
(
*
) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
FQP55N06 Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
onsemi
Balení
-
Řada
QFET®
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
60 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
55A (Tc)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
20mOhm @ 27.5A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 250µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
46 nC @ 10 V
VGS (Max)
±25V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1690 pF @ 25 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
133W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček zařízení dodavatele
TO-220-3
Balení / pouzdro
TO-220-3
Základní číslo výrobku
FQP5
Technický list a dokumenty
Technické listy
FQP55N06
HTML Datový list
FQP55N06-DG
Další informace
Standardní balíček
1,000
Klasifikace životního prostředí a exportu
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativní modely
ČÍSLO DÍLU
STP45NF06
VÝROBCE
STMicroelectronics
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
6259
DiGi ČÍSLO DÍLU
STP45NF06-DG
CENY ZA JEDNOTKU
0.66
Druh náhrady
Similar
ČÍSLO DÍLU
IRFZ48PBF
VÝROBCE
Vishay Siliconix
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
988
DiGi ČÍSLO DÍLU
IRFZ48PBF-DG
CENY ZA JEDNOTKU
1.19
Druh náhrady
Similar
ČÍSLO DÍLU
IRFZ44VPBF
VÝROBCE
Infineon Technologies
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
0
DiGi ČÍSLO DÍLU
IRFZ44VPBF-DG
CENY ZA JEDNOTKU
0.51
Druh náhrady
Similar
ČÍSLO DÍLU
STP55NF06
VÝROBCE
STMicroelectronics
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
38324
DiGi ČÍSLO DÍLU
STP55NF06-DG
CENY ZA JEDNOTKU
0.55
Druh náhrady
Similar
ČÍSLO DÍLU
IRFZ44EPBF
VÝROBCE
Infineon Technologies
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
13197
DiGi ČÍSLO DÍLU
IRFZ44EPBF-DG
CENY ZA JEDNOTKU
0.53
Druh náhrady
Similar
DIGI Certifikace
Související produkty
FDT86102LZ
MOSFET N-CH 100V 6.6A SOT223-4
NTD4863NAT4G
MOSFET N-CH 25V 9.2A/49A DPAK
FDFS6N303
MOSFET N-CH 30V 6A 8SOIC
FQB5N50CTM
MOSFET N-CH 500V 5A D2PAK