Číslo produktu výrobce:
FQB7N65CTM
Product Overview
Výrobce:
onsemi
Číslo dílu:
FQB7N65CTM-DG
Popis:
MOSFET N-CH 650V 7A D2PAK
Podrobný popis:
N-Channel 650 V 7A (Tc) 173W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Inventář:
12838942
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
FQB7N65CTM Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
onsemi
Balení
-
Řada
QFET®
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
650 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
7A (Tc)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
1.4Ohm @ 3.5A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 250µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
36 nC @ 10 V
VGS (Max)
±30V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1245 pF @ 25 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
173W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček zařízení dodavatele
TO-263 (D2PAK)
Balení / pouzdro
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Základní číslo výrobku
FQB7
Technický list a dokumenty
Technické listy
HTML Datový list
Další informace
Standardní balíček
800
Další jména
FQB7N65CTMCT
FQB7N65CTMTR
FQB7N65CTMDKR
Klasifikace životního prostředí a exportu
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativní modely
ČÍSLO DÍLU
STB8N65M5
VÝROBCE
STMicroelectronics
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
531
DiGi ČÍSLO DÍLU
STB8N65M5-DG
CENY ZA JEDNOTKU
1.20
Druh náhrady
Similar
ČÍSLO DÍLU
IRF540NSTRLPBF
VÝROBCE
Infineon Technologies
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
7309
DiGi ČÍSLO DÍLU
IRF540NSTRLPBF-DG
CENY ZA JEDNOTKU
0.52
Druh náhrady
Similar
DIGI Certifikace
Související produkty
FDME910PZT
MOSFET P-CH 20V 8A MICROFET
FDMC86102LZ
MOSFET N-CH 100V 7A/18A 8MLP
FDP025N06
MOSFET N-CH 60V 120A TO220-3