Domů
Produkty
Výrobci
O DiGi
Kontaktujte nás
Blogy a příspěvky
Žádost o cenovou nabídku / Nabídka
Czech
Přihlásit se
Výběrový jazyk
Aktuální jazyk dle vašeho výběru:
Czech
Přepnout:
Angličtina
Evropa
Spojené království
Francie
Španělsko
Turecko
Moldavsko
Litva
Norsko
Německo
Portugalsko
Slovensko
LTALY
Finsko
Ruština
Bulharsko
Dánsko
Estonsko
Polsko
Ukrajina
Slovinsko
Čeština
Řečtina
Chorvatsko
Izrael
Srbsko
Bělorusko
Nizozemsko
Švédsko
Černá Hora
Baskičtina
Island
Bosna
Maďarština
Rumunsko
Rakousko
Belgie
Irsko
Asie / Tichomoří
Čína
Vietnam
Indonésie
Thajsko
Laos
Filipínština
Malajsie
Korea
Japonsko
Hongkong
Tchaj-wan
Singapur
Pákistán
Saúdská Arábie
Katar
Kuvajt
Kambodža
Myanmar
Afrika, Indie a Střední východ
Spojené arabské emiráty
Tádžikistán
Madagaskar
Indie
Írán
DR Kongo
Jihoafrická republika
Egypt
Keňa
Tanzanie
Ghana
Senegal
Maroko
Tunisko
Jižní Amerika / Oceánie
Nový Zéland
Angola
Brazílie
Mosambik
Peru
Kolumbie
Chile
Venezuela
Ekvádor
Bolívie
Uruguay
Argentina
Paraguay
Austrálie
Severní Amerika
Spojené státy americké
Haiti
Kanada
Kostarika
Mexiko
O DiGi
O nás
O nás
Naše certifikace
DiGi Úvod
Proč DiGi
Politika
Kvalitní politika
Podmínky použití
Soulad s RoHS
Proces vrácení
Zdroje
Kategorie produktů
Výrobci
Blogy a příspěvky
Služby
Záruční doba kvality
Způsob platby
Globální zásilka
Ceny za přepravu
Časté dotazy
Číslo produktu výrobce:
FQP33N10L
Product Overview
Výrobce:
onsemi
Číslo dílu:
FQP33N10L-DG
Popis:
MOSFET N-CH 100V 33A TO220-3
Podrobný popis:
N-Channel 100 V 33A (Tc) 127W (Tc) Through Hole TO-220-3
Inventář:
Poptejte online
12847801
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
*
Společnost
*
Jméno kontaktu
*
Telefon
*
E-mail
Dodací adresa
Zpráva
(
*
) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
FQP33N10L Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
onsemi
Balení
-
Řada
QFET®
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
100 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
33A (Tc)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
5V, 10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
52mOhm @ 16.5A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2V @ 250µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
40 nC @ 5 V
VGS (Max)
±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1630 pF @ 25 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
127W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček zařízení dodavatele
TO-220-3
Balení / pouzdro
TO-220-3
Základní číslo výrobku
FQP3
Technický list a dokumenty
Technické listy
FQP33N10L
HTML Datový list
FQP33N10L-DG
Další informace
Standardní balíček
1,000
Klasifikace životního prostředí a exportu
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativní modely
ČÍSLO DÍLU
STP24NF10
VÝROBCE
STMicroelectronics
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
720
DiGi ČÍSLO DÍLU
STP24NF10-DG
CENY ZA JEDNOTKU
0.64
Druh náhrady
Similar
ČÍSLO DÍLU
IRF540NPBF
VÝROBCE
Infineon Technologies
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
148341
DiGi ČÍSLO DÍLU
IRF540NPBF-DG
CENY ZA JEDNOTKU
0.46
Druh náhrady
Similar
ČÍSLO DÍLU
STP30NF10
VÝROBCE
STMicroelectronics
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
991
DiGi ČÍSLO DÍLU
STP30NF10-DG
CENY ZA JEDNOTKU
0.79
Druh náhrady
Similar
ČÍSLO DÍLU
PSMN009-100P,127
VÝROBCE
NXP Semiconductors
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
291
DiGi ČÍSLO DÍLU
PSMN009-100P,127-DG
CENY ZA JEDNOTKU
1.44
Druh náhrady
Similar
ČÍSLO DÍLU
PSMN015-100P,127
VÝROBCE
Nexperia USA Inc.
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
7793
DiGi ČÍSLO DÍLU
PSMN015-100P,127-DG
CENY ZA JEDNOTKU
1.06
Druh náhrady
Similar
DIGI Certifikace
Související produkty
FDFM2N111
MOSFET N-CH 20V 4A MICROFET
NVMFS5C612NLWFT1G
MOSFET N-CH 60V 36A/235A 5DFN
NTMSD2P102R2
MOSFET P-CH 20V 2.3A 8SOIC
CPH6442-TL-W
MOSFET N-CH 60V 6A 6CPH