Číslo produktu výrobce:
FQP8N90C
Product Overview
Výrobce:
onsemi
Číslo dílu:
FQP8N90C-DG
Popis:
MOSFET N-CH 900V 6.3A TO220-3
Podrobný popis:
N-Channel 900 V 6.3A (Tc) 171W (Tc) Through Hole TO-220-3
Inventář:
12850483
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
FQP8N90C Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
onsemi
Balení
-
Řada
QFET®
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
900 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
6.3A (Tc)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
1.9Ohm @ 3.15A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
5V @ 250µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
45 nC @ 10 V
VGS (Max)
±30V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
2080 pF @ 25 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
171W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček zařízení dodavatele
TO-220-3
Balení / pouzdro
TO-220-3
Základní číslo výrobku
FQP8
Technický list a dokumenty
Katalogové listy
Další informace
Standardní balíček
1,000
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
Not Applicable
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativní modely
ČÍSLO DÍLU
STP6NK90Z
VÝROBCE
STMicroelectronics
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
990
DiGi ČÍSLO DÍLU
STP6NK90Z-DG
CENY ZA JEDNOTKU
1.41
Druh náhrady
Similar
ČÍSLO DÍLU
IXTP6N100D2
VÝROBCE
IXYS
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
395
DiGi ČÍSLO DÍLU
IXTP6N100D2-DG
CENY ZA JEDNOTKU
4.59
Druh náhrady
Similar
DIGI Certifikace
Související produkty
AO5404EL
MOSFET N-CH 20V 500MA SC89-3
FDFME3N311ZT
MOSFET N-CH 30V 1.8A 6MICROFET
HUFA76409D3ST
MOSFET N-CH 60V 18A TO252AA
