Domů
Produkty
Výrobci
O DiGi
Kontaktujte nás
Blogy a příspěvky
Žádost o cenovou nabídku / Nabídka
Czech
Přihlásit se
Výběrový jazyk
Aktuální jazyk dle vašeho výběru:
Czech
Přepnout:
Angličtina
Evropa
Spojené království
Francie
Španělsko
Turecko
Moldavsko
Litva
Norsko
Německo
Portugalsko
Slovensko
LTALY
Finsko
Ruština
Bulharsko
Dánsko
Estonsko
Polsko
Ukrajina
Slovinsko
Čeština
Řečtina
Chorvatsko
Izrael
Srbsko
Bělorusko
Nizozemsko
Švédsko
Černá Hora
Baskičtina
Island
Bosna
Maďarština
Rumunsko
Rakousko
Belgie
Irsko
Asie / Tichomoří
Čína
Vietnam
Indonésie
Thajsko
Laos
Filipínština
Malajsie
Korea
Japonsko
Hongkong
Tchaj-wan
Singapur
Pákistán
Saúdská Arábie
Katar
Kuvajt
Kambodža
Myanmar
Afrika, Indie a Střední východ
Spojené arabské emiráty
Tádžikistán
Madagaskar
Indie
Írán
DR Kongo
Jihoafrická republika
Egypt
Keňa
Tanzanie
Ghana
Senegal
Maroko
Tunisko
Jižní Amerika / Oceánie
Nový Zéland
Angola
Brazílie
Mosambik
Peru
Kolumbie
Chile
Venezuela
Ekvádor
Bolívie
Uruguay
Argentina
Paraguay
Austrálie
Severní Amerika
Spojené státy americké
Haiti
Kanada
Kostarika
Mexiko
O DiGi
O nás
O nás
Naše certifikace
DiGi Úvod
Proč DiGi
Politika
Kvalitní politika
Podmínky použití
Soulad s RoHS
Proces vrácení
Zdroje
Kategorie produktů
Výrobci
Blogy a příspěvky
Služby
Záruční doba kvality
Způsob platby
Globální zásilka
Ceny za přepravu
Časté dotazy
Číslo produktu výrobce:
FQPF7N80C
Product Overview
Výrobce:
onsemi
Číslo dílu:
FQPF7N80C-DG
Popis:
MOSFET N-CH 800V 6.6A TO220F
Podrobný popis:
N-Channel 800 V 6.6A (Tc) 56W (Tc) Through Hole TO-220F-3
Inventář:
Poptejte online
12838931
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
*
Společnost
*
Jméno kontaktu
*
Telefon
*
E-mail
Dodací adresa
Zpráva
(
*
) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
FQPF7N80C Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
onsemi
Balení
-
Řada
QFET®
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
800 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
6.6A (Tc)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
1.9Ohm @ 3.3A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
5V @ 250µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
35 nC @ 10 V
VGS (Max)
±30V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1680 pF @ 25 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
56W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček zařízení dodavatele
TO-220F-3
Balení / pouzdro
TO-220-3 Full Pack
Základní číslo výrobku
FQPF7
Technický list a dokumenty
Katalogové listy
FQPF7N80C Datasheet
Další informace
Standardní balíček
50
Další jména
FQPF7N80COS
2156-FQPF7N80C-OS
FQPF7N80C-DG
FAIFSCFQPF7N80C
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
Not Applicable
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativní modely
ČÍSLO DÍLU
STP8NK80ZFP
VÝROBCE
STMicroelectronics
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
162
DiGi ČÍSLO DÍLU
STP8NK80ZFP-DG
CENY ZA JEDNOTKU
1.33
Druh náhrady
Similar
ČÍSLO DÍLU
STP5NK80ZFP
VÝROBCE
STMicroelectronics
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
943
DiGi ČÍSLO DÍLU
STP5NK80ZFP-DG
CENY ZA JEDNOTKU
1.03
Druh náhrady
Similar
ČÍSLO DÍLU
STF8NK100Z
VÝROBCE
STMicroelectronics
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
444
DiGi ČÍSLO DÍLU
STF8NK100Z-DG
CENY ZA JEDNOTKU
2.16
Druh náhrady
Similar
ČÍSLO DÍLU
STF4N62K3
VÝROBCE
STMicroelectronics
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
0
DiGi ČÍSLO DÍLU
STF4N62K3-DG
CENY ZA JEDNOTKU
0.99
Druh náhrady
Similar
ČÍSLO DÍLU
STP7NK80ZFP
VÝROBCE
STMicroelectronics
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
817
DiGi ČÍSLO DÍLU
STP7NK80ZFP-DG
CENY ZA JEDNOTKU
1.18
Druh náhrady
Similar
DIGI Certifikace
Související produkty
FDZ375P
MOSFET P-CH 20V 3.7A 4WLCSP
FQB9N50CTM
MOSFET N-CH 500V 9A D2PAK
FQP19N10L
MOSFET N-CH 100V 19A TO220-3
FQB7N65CTM
MOSFET N-CH 650V 7A D2PAK