Číslo produktu výrobce:
FQT4N20LTF
Product Overview
Výrobce:
onsemi
Číslo dílu:
FQT4N20LTF-DG
Popis:
MOSFET N-CH 200V 850MA SOT223-4
Podrobný popis:
N-Channel 200 V 850mA (Tc) 2.2W (Tc) Surface Mount SOT-223-4
Inventář:
50 Ks Nový Originál Skladem
12840019
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
FQT4N20LTF Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
onsemi
Balení
Tape & Reel (TR)
Řada
QFET®
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
200 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
850mA (Tc)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
5V, 10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
1.35Ohm @ 425mA, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2V @ 250µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
5.2 nC @ 5 V
VGS (Max)
±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
310 pF @ 25 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
2.2W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček zařízení dodavatele
SOT-223-4
Balení / pouzdro
TO-261-4, TO-261AA
Základní číslo výrobku
FQT4N20
Technický list a dokumenty
Další informace
Standardní balíček
4,000
Další jména
FQT4N20LTFDKR
FAIFSCFQT4N20LTF
FQT4N20LTF-DG
FQT4N20LTFTR
FQT4N20LTFCT
2156-FQT4N20LTF-OS
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativní modely
ČÍSLO DÍLU
BSP297H6327XTSA1
VÝROBCE
Infineon Technologies
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
7629
DiGi ČÍSLO DÍLU
BSP297H6327XTSA1-DG
CENY ZA JEDNOTKU
0.30
Druh náhrady
Similar
DIGI Certifikace
Související produkty
FQP2N90
MOSFET N-CH 900V 2.2A TO220-3
NTD25P03LT4G
MOSFET P-CH 30V 25A DPAK
NVMFS6B25NLT1G
MOSFET N-CH 100V 8A/33A 5DFN
