Domů
Produkty
Výrobci
O DiGi
Kontaktujte nás
Blogy a příspěvky
Žádost o cenovou nabídku / Nabídka
Czech
Přihlásit se
Výběrový jazyk
Aktuální jazyk dle vašeho výběru:
Czech
Přepnout:
Angličtina
Evropa
Spojené království
Francie
Španělsko
Turecko
Moldavsko
Litva
Norsko
Německo
Portugalsko
Slovensko
LTALY
Finsko
Ruština
Bulharsko
Dánsko
Estonsko
Polsko
Ukrajina
Slovinsko
Čeština
Řečtina
Chorvatsko
Izrael
Srbsko
Bělorusko
Nizozemsko
Švédsko
Černá Hora
Baskičtina
Island
Bosna
Maďarština
Rumunsko
Rakousko
Belgie
Irsko
Asie / Tichomoří
Čína
Vietnam
Indonésie
Thajsko
Laos
Filipínština
Malajsie
Korea
Japonsko
Hongkong
Tchaj-wan
Singapur
Pákistán
Saúdská Arábie
Katar
Kuvajt
Kambodža
Myanmar
Afrika, Indie a Střední východ
Spojené arabské emiráty
Tádžikistán
Madagaskar
Indie
Írán
DR Kongo
Jihoafrická republika
Egypt
Keňa
Tanzanie
Ghana
Senegal
Maroko
Tunisko
Jižní Amerika / Oceánie
Nový Zéland
Angola
Brazílie
Mosambik
Peru
Kolumbie
Chile
Venezuela
Ekvádor
Bolívie
Uruguay
Argentina
Paraguay
Austrálie
Severní Amerika
Spojené státy americké
Haiti
Kanada
Kostarika
Mexiko
O DiGi
O nás
O nás
Naše certifikace
DiGi Úvod
Proč DiGi
Politika
Kvalitní politika
Podmínky použití
Soulad s RoHS
Proces vrácení
Zdroje
Kategorie produktů
Výrobci
Blogy a příspěvky
Služby
Záruční doba kvality
Způsob platby
Globální zásilka
Ceny za přepravu
Časté dotazy
Číslo produktu výrobce:
FQU13N10TU
Product Overview
Výrobce:
onsemi
Číslo dílu:
FQU13N10TU-DG
Popis:
MOSFET N-CH 100V 10A IPAK
Podrobný popis:
N-Channel 100 V 10A (Tc) 2.5W (Ta), 40W (Tc) Through Hole I-PAK
Inventář:
Poptejte online
12849204
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
*
Společnost
*
Jméno kontaktu
*
Telefon
*
E-mail
Dodací adresa
Zpráva
(
*
) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
FQU13N10TU Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
onsemi
Balení
-
Řada
QFET®
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
100 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
10A (Tc)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
180mOhm @ 5A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 250µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
16 nC @ 10 V
VGS (Max)
±25V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
450 pF @ 25 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
2.5W (Ta), 40W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček zařízení dodavatele
I-PAK
Balení / pouzdro
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Základní číslo výrobku
FQU1
Technický list a dokumenty
Technické listy
FQU13N10TU
HTML Datový list
FQU13N10TU-DG
Další informace
Standardní balíček
5,040
Klasifikace životního prostředí a exportu
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativní modely
ČÍSLO DÍLU
IRLU120NPBF
VÝROBCE
Infineon Technologies
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
9600
DiGi ČÍSLO DÍLU
IRLU120NPBF-DG
CENY ZA JEDNOTKU
0.30
Druh náhrady
Similar
ČÍSLO DÍLU
IRF6644TRPBF
VÝROBCE
International Rectifier
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
602356
DiGi ČÍSLO DÍLU
IRF6644TRPBF-DG
CENY ZA JEDNOTKU
1.27
Druh náhrady
Similar
ČÍSLO DÍLU
IRFU120NPBF
VÝROBCE
Infineon Technologies
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
5236
DiGi ČÍSLO DÍLU
IRFU120NPBF-DG
CENY ZA JEDNOTKU
0.29
Druh náhrady
Similar
ČÍSLO DÍLU
STU6NF10
VÝROBCE
STMicroelectronics
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
3000
DiGi ČÍSLO DÍLU
STU6NF10-DG
CENY ZA JEDNOTKU
0.32
Druh náhrady
Similar
DIGI Certifikace
Související produkty
FQD30N06LTF
MOSFET N-CH 60V 24A DPAK
IRFS644BYDTU_AS001
MOSFET N-CH 250V 14A TO220F
AOB286L
MOSFET N-CH 80V 13A/70A TO263
AOV11S60
MOSFET N-CH 600V 650MA/8A 4DFN