Číslo produktu výrobce:
FQU9N25TU
Product Overview
Výrobce:
onsemi
Číslo dílu:
FQU9N25TU-DG
Popis:
MOSFET N-CH 250V 7.4A IPAK
Podrobný popis:
N-Channel 250 V 7.4A (Tc) 2.5W (Ta), 55W (Tc) Through Hole IPAK
Inventář:
12847415
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
FQU9N25TU Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
onsemi
Balení
-
Řada
QFET®
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
250 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
7.4A (Tc)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
420mOhm @ 3.7A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
5V @ 250µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
20 nC @ 10 V
VGS (Max)
±30V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
700 pF @ 25 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
2.5W (Ta), 55W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček zařízení dodavatele
IPAK
Balení / pouzdro
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Základní číslo výrobku
FQU9N25
Technický list a dokumenty
Katalogové listy
Další informace
Standardní balíček
70
Další jména
ONSONSFQU9N25TU
FQU9N25TU-DG
2832-FQU9N25TU-488
2832-FQU9N25TU
FQU9N25TUOS
2156-FQU9N25TU-OS
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
Not Applicable
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativní modely
ČÍSLO DÍLU
FQU10N20CTU
VÝROBCE
onsemi
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
1315
DiGi ČÍSLO DÍLU
FQU10N20CTU-DG
CENY ZA JEDNOTKU
0.37
Druh náhrady
MFR Recommended
ČÍSLO DÍLU
STU7NF25
VÝROBCE
STMicroelectronics
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
2850
DiGi ČÍSLO DÍLU
STU7NF25-DG
CENY ZA JEDNOTKU
0.53
Druh náhrady
Similar
DIGI Certifikace
Související produkty
FDD1600N10ALZ
MOSFET N-CH 100V 6.8A TO252
MMSF3P02HDR2
MOSFET P-CH 20V 5.6A 8SOIC
FDAF59N30
MOSFET N-CH 300V 34A TO3PF
