Číslo produktu výrobce:
HUF75639G3
Product Overview
Výrobce:
onsemi
Číslo dílu:
HUF75639G3-DG
Popis:
MOSFET N-CH 100V 56A TO247-3
Podrobný popis:
N-Channel 100 V 56A (Tc) 200W (Tc) Through Hole TO-247-3
Inventář:
415 Ks Nový Originál Skladem
12839182
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
HUF75639G3 Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
onsemi
Balení
Tube
Řada
UltraFET™
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
100 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
56A (Tc)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
25mOhm @ 56A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 250µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
130 nC @ 20 V
VGS (Max)
±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
2000 pF @ 25 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
200W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček zařízení dodavatele
TO-247-3
Balení / pouzdro
TO-247-3
Základní číslo výrobku
HUF75639
Technický list a dokumenty
Další informace
Standardní balíček
30
Další jména
HUF75639G3-DG
HUF75639G3FS
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
Not Applicable
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikace
Související produkty
FDP2710
MOSFET N-CH 250V 50A TO220-3
FDMS0310S
MOSFET N-CH 30V 19A/42A 8PQFN
FCP9N60N
MOSFET N-CH 600V 9A TO220-3
