Číslo produktu výrobce:
IRFP150A
Product Overview
Výrobce:
onsemi
Číslo dílu:
IRFP150A-DG
Popis:
MOSFET N-CH 100V 43A TO3PN
Podrobný popis:
N-Channel 100 V 43A (Tc) 193W (Tc) Through Hole TO-3PN
Inventář:
12849378
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
IRFP150A Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
onsemi
Balení
-
Řada
-
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
100 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
43A (Tc)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
40mOhm @ 21.5A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 250µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
97 nC @ 10 V
VGS (Max)
±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
2270 pF @ 25 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
193W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček zařízení dodavatele
TO-3PN
Balení / pouzdro
TO-3P-3, SC-65-3
Základní číslo výrobku
IRFP150
Technický list a dokumenty
Další informace
Standardní balíček
30
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
Not Applicable
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativní modely
ČÍSLO DÍLU
FQA70N10
VÝROBCE
onsemi
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
66
DiGi ČÍSLO DÍLU
FQA70N10-DG
CENY ZA JEDNOTKU
1.23
Druh náhrady
MFR Recommended
ČÍSLO DÍLU
2SK1317-E
VÝROBCE
Renesas Electronics Corporation
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
5608
DiGi ČÍSLO DÍLU
2SK1317-E-DG
CENY ZA JEDNOTKU
3.29
Druh náhrady
Similar
ČÍSLO DÍLU
IXTQ48N20T
VÝROBCE
IXYS
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
0
DiGi ČÍSLO DÍLU
IXTQ48N20T-DG
CENY ZA JEDNOTKU
2.75
Druh náhrady
Similar
DIGI Certifikace
Související produkty
IPP096N03L G
MOSFET N-CH 30V 35A TO220-3
FQP13N06L
MOSFET N-CH 60V 13.6A TO220-3
AOT66916L
MOSFET N-CH 100V 35.5/120A TO220