IRL640A
Číslo produktu výrobce:

IRL640A

Product Overview

Výrobce:

onsemi

Číslo dílu:

IRL640A-DG

Popis:

MOSFET N-CH 200V 18A TO220-3
Podrobný popis:
N-Channel 200 V 18A (Tc) 110W (Tc) Through Hole TO-220-3

Inventář:

97975 Ks Nový Originál Skladem
12847790
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat

IRL640A Technické specifikace

Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
onsemi
Balení
Tube
Řada
-
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
200 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
18A (Tc)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
5V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
180mOhm @ 9A, 5V
vgs(th) (max.) @ id
2V @ 250µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
56 nC @ 5 V
VGS (Max)
±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1705 pF @ 25 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
110W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček zařízení dodavatele
TO-220-3
Balení / pouzdro
TO-220-3
Základní číslo výrobku
IRL640

Technický list a dokumenty

Katalogové listy
Technické listy
HTML Datový list

Další informace

Standardní balíček
50
Další jména
2156-IRL640A

Klasifikace životního prostředí a exportu

Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
Not Applicable
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Alternativní modely

ČÍSLO DÍLU
IRL640PBF
VÝROBCE
Vishay Siliconix
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
5642
DiGi ČÍSLO DÍLU
IRL640PBF-DG
CENY ZA JEDNOTKU
0.93
Druh náhrady
Similar
ČÍSLO DÍLU
IRF200B211
VÝROBCE
Infineon Technologies
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
4746
DiGi ČÍSLO DÍLU
IRF200B211-DG
CENY ZA JEDNOTKU
0.51
Druh náhrady
Similar
DIGI Certifikace
Související produkty
onsemi

FDD8882

MOSFET N-CH 30V 12.6/55A TO252AA

onsemi

FDP6030BL

MOSFET N-CH 30V 40A TO220-3

onsemi

NTB27N06LT4

MOSFET N-CH 60V 27A D2PAK

onsemi

NVD6416ANT4G

MOSFET N-CH 100V 17A DPAK