Číslo produktu výrobce:
IRL640A
Product Overview
Výrobce:
onsemi
Číslo dílu:
IRL640A-DG
Popis:
MOSFET N-CH 200V 18A TO220-3
Podrobný popis:
N-Channel 200 V 18A (Tc) 110W (Tc) Through Hole TO-220-3
Inventář:
97975 Ks Nový Originál Skladem
12847790
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
IRL640A Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
onsemi
Balení
Tube
Řada
-
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
200 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
18A (Tc)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
5V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
180mOhm @ 9A, 5V
vgs(th) (max.) @ id
2V @ 250µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
56 nC @ 5 V
VGS (Max)
±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1705 pF @ 25 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
110W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček zařízení dodavatele
TO-220-3
Balení / pouzdro
TO-220-3
Základní číslo výrobku
IRL640
Technický list a dokumenty
Další informace
Standardní balíček
50
Další jména
2156-IRL640A
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
Not Applicable
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativní modely
ČÍSLO DÍLU
IRL640PBF
VÝROBCE
Vishay Siliconix
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
5642
DiGi ČÍSLO DÍLU
IRL640PBF-DG
CENY ZA JEDNOTKU
0.93
Druh náhrady
Similar
ČÍSLO DÍLU
IRF200B211
VÝROBCE
Infineon Technologies
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
4746
DiGi ČÍSLO DÍLU
IRF200B211-DG
CENY ZA JEDNOTKU
0.51
Druh náhrady
Similar
DIGI Certifikace
Související produkty
FDD8882
MOSFET N-CH 30V 12.6/55A TO252AA
FDP6030BL
MOSFET N-CH 30V 40A TO220-3
NTB27N06LT4
MOSFET N-CH 60V 27A D2PAK