NDF08N50ZG
Číslo produktu výrobce:

NDF08N50ZG

Product Overview

Výrobce:

onsemi

Číslo dílu:

NDF08N50ZG-DG

Popis:

MOSFET N-CH 500V 8.5A TO220FP
Podrobný popis:
N-Channel 500 V 8.5A (Tc) 35W (Tc) Through Hole TO-220FP

Inventář:

12857556
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat

NDF08N50ZG Technické specifikace

Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
onsemi
Balení
-
Řada
-
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
500 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
8.5A (Tc)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
850mOhm @ 3.6A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4.5V @ 100µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
46 nC @ 10 V
VGS (Max)
±30V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1095 pF @ 25 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
35W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček zařízení dodavatele
TO-220FP
Balení / pouzdro
TO-220-3 Full Pack
Základní číslo výrobku
NDF08

Technický list a dokumenty

Katalogové listy
Technické listy
HTML Datový list

Další informace

Standardní balíček
50
Další jména
NDF08N50ZGOS
NDF08N50ZG-DG
ONSONSNDF08N50ZG
2156-NDF08N50ZG-ON

Klasifikace životního prostředí a exportu

Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Alternativní modely

ČÍSLO DÍLU
R5009ANX
VÝROBCE
Rohm Semiconductor
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
0
DiGi ČÍSLO DÍLU
R5009ANX-DG
CENY ZA JEDNOTKU
1.23
Druh náhrady
Similar
ČÍSLO DÍLU
TK8A50D(STA4,Q,M)
VÝROBCE
Toshiba Semiconductor and Storage
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
43
DiGi ČÍSLO DÍLU
TK8A50D(STA4,Q,M)-DG
CENY ZA JEDNOTKU
0.56
Druh náhrady
Similar
DIGI Certifikace
Související produkty
onsemi

NDF0610

MOSFET P-CH 60V 180MA TO92-3

onsemi

NTD18N06L

MOSFET N-CH 60V 18A DPAK

onsemi

NTMFS4935NT3G

MOSFET N-CH 30V 13A/93A 5DFN

onsemi

NDT453N

MOSFET N-CH 30V 8A SOT-223-4