Číslo produktu výrobce:
R5009ANX
Product Overview
Výrobce:
Rohm Semiconductor
Číslo dílu:
R5009ANX-DG
Popis:
MOSFET N-CH 500V 9A TO220
Podrobný popis:
N-Channel 500 V 9A (Tc) 50W (Tc) Through Hole TO-220FM
Inventář:
12906455
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
R5009ANX Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
ROHM Semiconductor
Balení
Bulk
Řada
-
Stav produktu
Not For New Designs
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
500 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
9A (Tc)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
720mOhm @ 4.5A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4.5V @ 1mA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
21 nC @ 10 V
VGS (Max)
±30V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
650 pF @ 25 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
50W (Tc)
Provozní teplota
150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček zařízení dodavatele
TO-220FM
Balení / pouzdro
TO-220-3 Full Pack
Základní číslo výrobku
R5009
Technický list a dokumenty
Katalogové listy
Další informace
Standardní balíček
500
Další jména
846-R5009ANX
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativní modely
ČÍSLO DÍLU
R5009ANX
VÝROBCE
Rohm Semiconductor
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
0
DiGi ČÍSLO DÍLU
R5009ANX-DG
CENY ZA JEDNOTKU
1.23
Druh náhrady
Parametric Equivalent
DIGI Certifikace
Související produkty
ZXMN2A02X8TA
MOSFET N-CH 20V 6.2A 8MSOP
IXTH54N30T
MOSFET N-CH 300V 54A TO247
IRFBC40SPBF
MOSFET N-CH 600V 6.2A D2PAK
