Číslo produktu výrobce:
NDT02N60ZT1G
Product Overview
Výrobce:
onsemi
Číslo dílu:
NDT02N60ZT1G-DG
Popis:
MOSFET N-CH 600V 300MA SOT223
Podrobný popis:
N-Channel 600 V 300mA (Tc) 2W (Tc) Surface Mount SOT-223 (TO-261)
Inventář:
12840723
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
NDT02N60ZT1G Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
onsemi
Balení
-
Řada
-
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
600 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
300mA (Tc)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
8Ohm @ 700mA, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4.5V @ 50µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
7.4 nC @ 10 V
VGS (Max)
±30V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
170 pF @ 25 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
2W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček zařízení dodavatele
SOT-223 (TO-261)
Balení / pouzdro
TO-261-4, TO-261AA
Základní číslo výrobku
NDT02
Další informace
Standardní balíček
1,000
Klasifikace životního prostředí a exportu
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativní modely
ČÍSLO DÍLU
STN1HNK60
VÝROBCE
STMicroelectronics
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
45248
DiGi ČÍSLO DÍLU
STN1HNK60-DG
CENY ZA JEDNOTKU
0.37
Druh náhrady
Direct
DIGI Certifikace
Související produkty
NTNS3A91PZT5G
MOSFET P-CH 20V 223MA 3XLLGA
NTD4960N-35G
MOSFET N-CH 30V 8.9A/55A IPAK
FQB17P10TM
MOSFET P-CH 100V 16.5A D2PAK
