Číslo produktu výrobce:
NTHL041N60S5H
Product Overview
Výrobce:
onsemi
Číslo dílu:
NTHL041N60S5H-DG
Popis:
NTHL041N60S5H
Podrobný popis:
N-Channel 600 V 57A (Tc) 329W (Tc) Through Hole TO-247-3
Inventář:
166 Ks Nový Originál Skladem
12966312
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
NTHL041N60S5H Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
onsemi
Balení
Tube
Řada
SuperFET® V
Stav produktu
Not For New Designs
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
600 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
57A (Tc)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
41mOhm @ 28.5A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4.3V @ 6.7mA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
108 nC @ 10 V
VGS (Max)
±30V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
5840 pF @ 400 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
329W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček zařízení dodavatele
TO-247-3
Balení / pouzdro
TO-247-3
Technický list a dokumenty
Další informace
Standardní balíček
30
Další jména
488-NTHL041N60S5H
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
Not Applicable
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativní modely
ČÍSLO DÍLU
R6086YNZ4C13
VÝROBCE
Rohm Semiconductor
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
568
DiGi ČÍSLO DÍLU
R6086YNZ4C13-DG
CENY ZA JEDNOTKU
6.34
Druh náhrady
Similar
ČÍSLO DÍLU
TSM60NB041PW C1G
VÝROBCE
Taiwan Semiconductor Corporation
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
2485
DiGi ČÍSLO DÍLU
TSM60NB041PW C1G-DG
CENY ZA JEDNOTKU
8.76
Druh náhrady
Similar
DIGI Certifikace
Související produkty
NTHL099N60S5
NTHL099N60S5
EPC2067
TRANS GAN .0015OHM 40V 14LGA
NTMTS1D6N10MCTXG
SINGLE N-CHANNEL POWER MOSFET 10
