Číslo produktu výrobce:
NTJD4158CT1G
Product Overview
Výrobce:
onsemi
Číslo dílu:
NTJD4158CT1G-DG
Popis:
MOSFET N/P-CH 30V/20V SC88
Podrobný popis:
Mosfet Array 30V, 20V 250mA, 880mA 270mW Surface Mount SC-88/SC70-6/SOT-363
Inventář:
14230 Ks Nový Originál Skladem
12840115
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
NTJD4158CT1G Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, FET, MOSFET pole
Výrobce
onsemi
Balení
Tape & Reel (TR)
Řada
-
Stav produktu
Active
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Konfigurace
N and P-Channel
Funkce FET
Logic Level Gate
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
30V, 20V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
250mA, 880mA
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
1.5Ohm @ 10mA, 4.5V
vgs(th) (max.) @ id
1.5V @ 100µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
1.5nC @ 5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
33pF @ 5V
Výkon - Max
270mW
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balení / pouzdro
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Balíček zařízení dodavatele
SC-88/SC70-6/SOT-363
Základní číslo výrobku
NTJD4158
Technický list a dokumenty
Další informace
Standardní balíček
3,000
Další jména
NTJD4158CT1G-DG
NTJD4158CT1GOSTR
NTJD4158CT1GOSDKR
=NTJD4158CT1GOSCT-DG
NTJD4158CT1GOSCT
Q3836699Z
ONSONSNTJD4158CT1G
2156-NTJD4158CT1G-OS
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI Certifikace
Související produkty
MVDF2C03HDR2G
MOSFET N/P-CH 30V 4.1A/3A 8SOIC
MCH6662-TL-W
MOSFET 2N-CH 20V 2A SC88FL
QJD1210SA2
SIC 2N-CH 1200V 100A MODULE
