Domů
Produkty
Výrobci
O DiGi
Kontaktujte nás
Blogy a příspěvky
Žádost o cenovou nabídku / Nabídka
Czech
Přihlásit se
Výběrový jazyk
Aktuální jazyk dle vašeho výběru:
Czech
Přepnout:
Angličtina
Evropa
Spojené království
Francie
Španělsko
Turecko
Moldavsko
Litva
Norsko
Německo
Portugalsko
Slovensko
LTALY
Finsko
Ruština
Bulharsko
Dánsko
Estonsko
Polsko
Ukrajina
Slovinsko
Čeština
Řečtina
Chorvatsko
Izrael
Srbsko
Bělorusko
Nizozemsko
Švédsko
Černá Hora
Baskičtina
Island
Bosna
Maďarština
Rumunsko
Rakousko
Belgie
Irsko
Asie / Tichomoří
Čína
Vietnam
Indonésie
Thajsko
Laos
Filipínština
Malajsie
Korea
Japonsko
Hongkong
Tchaj-wan
Singapur
Pákistán
Saúdská Arábie
Katar
Kuvajt
Kambodža
Myanmar
Afrika, Indie a Střední východ
Spojené arabské emiráty
Tádžikistán
Madagaskar
Indie
Írán
DR Kongo
Jihoafrická republika
Egypt
Keňa
Tanzanie
Ghana
Senegal
Maroko
Tunisko
Jižní Amerika / Oceánie
Nový Zéland
Angola
Brazílie
Mosambik
Peru
Kolumbie
Chile
Venezuela
Ekvádor
Bolívie
Uruguay
Argentina
Paraguay
Austrálie
Severní Amerika
Spojené státy americké
Haiti
Kanada
Kostarika
Mexiko
O DiGi
O nás
O nás
Naše certifikace
DiGi Úvod
Proč DiGi
Politika
Kvalitní politika
Podmínky použití
Soulad s RoHS
Proces vrácení
Zdroje
Kategorie produktů
Výrobci
Blogy a příspěvky
Služby
Záruční doba kvality
Způsob platby
Globální zásilka
Ceny za přepravu
Časté dotazy
Číslo produktu výrobce:
NTLJD4150PTBG
Product Overview
Výrobce:
onsemi
Číslo dílu:
NTLJD4150PTBG-DG
Popis:
MOSFET 2P-CH 30V 1.8A 6WDFN
Podrobný popis:
Mosfet Array 30V 1.8A 700mW Surface Mount 6-WDFN (2x2)
Inventář:
Poptejte online
12847991
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
*
Společnost
*
Jméno kontaktu
*
Telefon
*
E-mail
Dodací adresa
Zpráva
(
*
) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
NTLJD4150PTBG Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, FET, MOSFET pole
Výrobce
onsemi
Balení
-
Řada
-
Stav produktu
Obsolete
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Konfigurace
2 P-Channel (Dual)
Funkce FET
Logic Level Gate
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
30V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
1.8A
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
135mOhm @ 4A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2V @ 250µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
4.5nC @ 4.5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
300pF @ 15V
Výkon - Max
700mW
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balení / pouzdro
6-WDFN Exposed Pad
Balíček zařízení dodavatele
6-WDFN (2x2)
Základní číslo výrobku
NTLJD41
Technický list a dokumenty
Katalogové listy
NTLJD4150P
Technické listy
NTLJD4150PTBG
HTML Datový list
NTLJD4150PTBG-DG
Další informace
Standardní balíček
3,000
Klasifikace životního prostředí a exportu
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Alternativní modely
ČÍSLO DÍLU
PMDPB70XP,115
VÝROBCE
Nexperia USA Inc.
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
3754
DiGi ČÍSLO DÍLU
PMDPB70XP,115-DG
CENY ZA JEDNOTKU
0.10
Druh náhrady
Similar
ČÍSLO DÍLU
PMDPB58UPE,115
VÝROBCE
Nexperia USA Inc.
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
17912
DiGi ČÍSLO DÍLU
PMDPB58UPE,115-DG
CENY ZA JEDNOTKU
0.11
Druh náhrady
Similar
DIGI Certifikace
Související produkty
FDG6306P
MOSFET 2P-CH 20V 600MA SC88
NVMFD5877NLWFT1G
MOSFET 2N-CH 60V 6A 8DFN
FDMD86100
MOSFET 2N-CH 100V 10A 8PWR 5X6
FDC6561AN
MOSFET 2N-CH 30V 2.5A SSOT6