Číslo produktu výrobce:
NTMFS4851NT1G
Product Overview
Výrobce:
onsemi
Číslo dílu:
NTMFS4851NT1G-DG
Popis:
MOSFET N-CH 30V 9.5A/66A 5DFN
Podrobný popis:
N-Channel 30 V 9.5A (Ta), 66A (Tc) 870mW (Ta), 41.7W (Tc) Surface Mount 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Inventář:
12856118
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
NTMFS4851NT1G Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
onsemi
Balení
-
Řada
-
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
30 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
9.5A (Ta), 66A (Tc)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
4.5V, 11.5V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
5.9mOhm @ 30A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2.5V @ 250µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
20 nC @ 4.5 V
VGS (Max)
±16V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1850 pF @ 12 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
870mW (Ta), 41.7W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček zařízení dodavatele
5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Balení / pouzdro
8-PowerTDFN, 5 Leads
Základní číslo výrobku
NTMFS4
Technický list a dokumenty
Další informace
Standardní balíček
1,500
Další jména
2156-NTMFS4851NT1G-OS
ONSONSNTMFS4851NT1G
Klasifikace životního prostředí a exportu
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativní modely
ČÍSLO DÍLU
PSMN5R0-30YL,115
VÝROBCE
Nexperia USA Inc.
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
2980
DiGi ČÍSLO DÍLU
PSMN5R0-30YL,115-DG
CENY ZA JEDNOTKU
0.29
Druh náhrady
Similar
ČÍSLO DÍLU
PSMN6R0-30YL,115
VÝROBCE
Nexperia USA Inc.
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
3630
DiGi ČÍSLO DÍLU
PSMN6R0-30YL,115-DG
CENY ZA JEDNOTKU
0.24
Druh náhrady
Similar
DIGI Certifikace
Související produkty
NTTFS5811NLTWG
MOSFET N-CH 40V 17A/53A 8WDFN
NVMFS5A160PLZT1G
MOSFET P-CH 60V 15A/100A 5DFN
RJK6006DPP-A0#T2
MOSFET N-CH 600V 10A TO220FP
