Číslo produktu výrobce:
NTP067N65S3H
Product Overview
Výrobce:
onsemi
Číslo dílu:
NTP067N65S3H-DG
Popis:
POWER MOSFET, N-CHANNEL, SUPERFE
Podrobný popis:
N-Channel 650 V 40A (Tc) 266W (Tc) Through Hole TO-220-3
Inventář:
369 Ks Nový Originál Skladem
12950502
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
NTP067N65S3H Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
onsemi
Balení
Tube
Řada
SuperFET® III
Stav produktu
Not For New Designs
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
650 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
40A (Tc)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
67mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 3.9mA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
80 nC @ 10 V
VGS (Max)
±30V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
3750 pF @ 400 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
266W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček zařízení dodavatele
TO-220-3
Balení / pouzdro
TO-220-3
Technický list a dokumenty
Další informace
Standardní balíček
50
Další jména
488-NTP067N65S3H
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
Not Applicable
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativní modely
ČÍSLO DÍLU
NTH4LN067N65S3H
VÝROBCE
onsemi
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
361
DiGi ČÍSLO DÍLU
NTH4LN067N65S3H-DG
CENY ZA JEDNOTKU
4.45
Druh náhrady
Parametric Equivalent
DIGI Certifikace
Související produkty
NTBGS002N06C
POWER MOSFET, 60 V, 2.2 M?, 211
NTH4LN095N65S3H
POWER MOSFET, N-CHANNEL, SUPERFE
NTMFS1D7N03CGT1G
MOSFET, POWER, 30V N-CHANNEL, SO