Domů
Produkty
Výrobci
O DiGi
Kontaktujte nás
Blogy a příspěvky
Žádost o cenovou nabídku / Nabídka
Czech
Přihlásit se
Výběrový jazyk
Aktuální jazyk dle vašeho výběru:
Czech
Přepnout:
Angličtina
Evropa
Spojené království
Francie
Španělsko
Turecko
Moldavsko
Litva
Norsko
Německo
Portugalsko
Slovensko
LTALY
Finsko
Ruština
Bulharsko
Dánsko
Estonsko
Polsko
Ukrajina
Slovinsko
Čeština
Řečtina
Chorvatsko
Izrael
Srbsko
Bělorusko
Nizozemsko
Švédsko
Černá Hora
Baskičtina
Island
Bosna
Maďarština
Rumunsko
Rakousko
Belgie
Irsko
Asie / Tichomoří
Čína
Vietnam
Indonésie
Thajsko
Laos
Filipínština
Malajsie
Korea
Japonsko
Hongkong
Tchaj-wan
Singapur
Pákistán
Saúdská Arábie
Katar
Kuvajt
Kambodža
Myanmar
Afrika, Indie a Střední východ
Spojené arabské emiráty
Tádžikistán
Madagaskar
Indie
Írán
DR Kongo
Jihoafrická republika
Egypt
Keňa
Tanzanie
Ghana
Senegal
Maroko
Tunisko
Jižní Amerika / Oceánie
Nový Zéland
Angola
Brazílie
Mosambik
Peru
Kolumbie
Chile
Venezuela
Ekvádor
Bolívie
Uruguay
Argentina
Paraguay
Austrálie
Severní Amerika
Spojené státy americké
Haiti
Kanada
Kostarika
Mexiko
O DiGi
O nás
O nás
Naše certifikace
DiGi Úvod
Proč DiGi
Politika
Kvalitní politika
Podmínky použití
Soulad s RoHS
Proces vrácení
Zdroje
Kategorie produktů
Výrobci
Blogy a příspěvky
Služby
Záruční doba kvality
Způsob platby
Globální zásilka
Ceny za přepravu
Časté dotazy
Číslo produktu výrobce:
NVD5117PLT4G
Product Overview
Výrobce:
onsemi
Číslo dílu:
NVD5117PLT4G-DG
Popis:
MOSFET P-CH 60V 11A/61A DPAK
Podrobný popis:
P-Channel 60 V 11A (Ta), 61A (Tc) 4.1W (Ta), 118W (Tc) Surface Mount DPAK
Inventář:
Poptejte online
12843051
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
*
Společnost
*
Jméno kontaktu
*
Telefon
*
E-mail
Dodací adresa
Zpráva
(
*
) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
NVD5117PLT4G Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
onsemi
Balení
-
Řada
-
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
60 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
11A (Ta), 61A (Tc)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
4.5V, 10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
16mOhm @ 29A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2.5V @ 250µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
85 nC @ 10 V
VGS (Max)
±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
4800 pF @ 25 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
4.1W (Ta), 118W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Třída
Automotive
Kvalifikace
AEC-Q101
Typ montáže
Surface Mount
Balíček zařízení dodavatele
DPAK
Balení / pouzdro
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Základní číslo výrobku
NVD511
Další informace
Standardní balíček
2,500
Další jména
NVD5117PLT4GOSCT
NVD5117PLT4GOSDKR
ONSONSNVD5117PLT4G
2156-NVD5117PLT4G-OS
NVD5117PLT4GOSTR
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativní modely
ČÍSLO DÍLU
TJ50S06M3L(T6L1,NQ
VÝROBCE
Toshiba Semiconductor and Storage
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
2000
DiGi ČÍSLO DÍLU
TJ50S06M3L(T6L1,NQ-DG
CENY ZA JEDNOTKU
0.74
Druh náhrady
Similar
ČÍSLO DÍLU
SUD50P06-15L-E3
VÝROBCE
Vishay Siliconix
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
38575
DiGi ČÍSLO DÍLU
SUD50P06-15L-E3-DG
CENY ZA JEDNOTKU
1.02
Druh náhrady
Similar
ČÍSLO DÍLU
NVD5117PLT4G-VF01
VÝROBCE
onsemi
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
0
DiGi ČÍSLO DÍLU
NVD5117PLT4G-VF01-DG
CENY ZA JEDNOTKU
1.14
Druh náhrady
Direct
DIGI Certifikace
Související produkty
NDD60N550U1-1G
MOSFET N-CH 600V 8.2A IPAK
NTP5411NG
MOSFET N-CH 60V 80A TO220AB
NVMFS5C628NLAFT3G
MOSFET N-CH 60V 28A/150A 5DFN
AOT440
MOSFET N-CH 40V 15.5A/105A TO220