Číslo produktu výrobce:
NVMFS5C612NLAFT1G
Product Overview
Výrobce:
onsemi
Číslo dílu:
NVMFS5C612NLAFT1G-DG
Popis:
MOSFET N-CH 60V 38A/250A 5DFN
Podrobný popis:
N-Channel 60 V 38A (Ta), 250A (Tc) 3.8W (Ta), 167W (Tc) Surface Mount 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Inventář:
12841028
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
NVMFS5C612NLAFT1G Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
onsemi
Balení
Tape & Reel (TR)
Řada
-
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
60 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
38A (Ta), 250A (Tc)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
4.5V, 10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
1.36mOhm @ 50A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2V @ 250µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
91 nC @ 10 V
VGS (Max)
±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
6660 pF @ 25 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
3.8W (Ta), 167W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Třída
Automotive
Kvalifikace
AEC-Q101
Typ montáže
Surface Mount
Balíček zařízení dodavatele
5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Balení / pouzdro
8-PowerTDFN, 5 Leads
Základní číslo výrobku
NVMFS5
Technický list a dokumenty
Katalogové listy
Technické listy
HTML Datový list
Další informace
Standardní balíček
1,500
Další jména
488-NVMFS5C612NLAFT1GTR
488-NVMFS5C612NLAFT1GDKR
NVMFS5C612NLAFT1G-DG
488-NVMFS5C612NLAFT1GCT
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikace
Související produkty
MTB30P06VT4
MOSFET P-CH 60V 30A D2PAK
FQPF3N80CYDTU
MOSFET N-CH 800V 3A TO220F-3
NTB5412NT4G
MOSFET N-CH 60V 60A D2PAK
