Číslo produktu výrobce:
NVMTS1D2N08H
Product Overview
Výrobce:
onsemi
Číslo dílu:
NVMTS1D2N08H-DG
Popis:
MOSFET N-CH 80V 43.5A/337A 8DFNW
Podrobný popis:
N-Channel 80 V 43.5A (Ta), 337A (Tc) 5W (Ta), 300W (Tc) Surface Mount 8-DFNW (8.3x8.4)
Inventář:
12938876
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
NVMTS1D2N08H Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
onsemi
Balení
Tape & Reel (TR)
Řada
-
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
80 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
43.5A (Ta), 337A (Tc)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
1.1mOhm @ 90A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 590µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
147 nC @ 10 V
VGS (Max)
±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
10100 pF @ 40 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
5W (Ta), 300W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Třída
Automotive
Kvalifikace
AEC-Q101
Typ montáže
Surface Mount
Balíček zařízení dodavatele
8-DFNW (8.3x8.4)
Balení / pouzdro
8-PowerTDFN
Základní číslo výrobku
NVMTS1
Technický list a dokumenty
Další informace
Standardní balíček
3,000
Další jména
488-NVMTS1D2N08HDKR
NVMTS1D2N08H-DG
488-NVMTS1D2N08HCT
488-NVMTS1D2N08HTR
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikace
Související produkty
IRF630PBF
MOSFET N-CH 200V 9A TO220AB
NVMFS6H801NWFT1G
MOSFET N-CH 80V 23A/157A 5DFN
NTP6412ANG
MOSFET N-CH 100V 58A TO220AB