NVTYS010N06CLTWG
Číslo produktu výrobce:

NVTYS010N06CLTWG

Product Overview

Výrobce:

onsemi

Číslo dílu:

NVTYS010N06CLTWG-DG

Popis:

T6 60V N-CH LL IN LFPAK33
Podrobný popis:
N-Channel 60 V 13A (Ta), 51A (Tc) 3.1W (Ta), 47W (Tc) Surface Mount 8-LFPAK

Inventář:

2990 Ks Nový Originál Skladem
12974561
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat

NVTYS010N06CLTWG Technické specifikace

Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
onsemi
Balení
Tape & Reel (TR)
Řada
-
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
60 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
13A (Ta), 51A (Tc)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
4.5V, 10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
9.8mOhm @ 25A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2V @ 35µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
13 nC @ 10 V
VGS (Max)
±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
910 pF @ 25 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
3.1W (Ta), 47W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Třída
Automotive
Kvalifikace
AEC-Q101
Typ montáže
Surface Mount
Balíček zařízení dodavatele
8-LFPAK
Balení / pouzdro
SOT-1205, 8-LFPAK56

Technický list a dokumenty

Katalogové listy
Technické listy
HTML Datový list

Další informace

Standardní balíček
3,000
Další jména
488-NVTYS010N06CLTWGCT
488-NVTYS010N06CLTWGDKR
488-NVTYS010N06CLTWGTR

Klasifikace životního prostředí a exportu

Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Alternativní modely

ČÍSLO DÍLU
NVTYS010N06CLTWG
VÝROBCE
onsemi
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
2990
DiGi ČÍSLO DÍLU
NVTYS010N06CLTWG-DG
CENY ZA JEDNOTKU
0.34
Druh náhrady
Parametric Equivalent
DIGI Certifikace
Související produkty
alpha-and-omega-semiconductor

AO3496

MOSFET N-CH SOT-23

goford-semiconductor

GT110N06S

N60V,RD(MAX)<[email protected],RD(MAX)<1

vishay-siliconix

SIR582DP-T1-RE3

N-CHANNEL 80 V (D-S) MOSFET POWE

onsemi

FDMS86163P-23507X

FET -100V 22.0 MOHM PQFN56