Číslo produktu výrobce:
NVTYS029N08HLTWG
Product Overview
Výrobce:
onsemi
Číslo dílu:
NVTYS029N08HLTWG-DG
Popis:
T8 80V N-CH LL IN LFPAK33 PACKAG
Podrobný popis:
N-Channel 80 V 6.6A (Ta), 22A (Tc) 3.1W (Ta), 33W (Tc) Surface Mount 8-LFPAK
Inventář:
3000 Ks Nový Originál Skladem
12979240
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
NVTYS029N08HLTWG Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
onsemi
Balení
Tape & Reel (TR)
Řada
-
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
80 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
6.6A (Ta), 22A (Tc)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
4.5V, 10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
29mOhm @ 5A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2V @ 20µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
9 nC @ 10 V
VGS (Max)
±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
431 pF @ 40 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
3.1W (Ta), 33W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Třída
Automotive
Kvalifikace
AEC-Q101
Typ montáže
Surface Mount
Balíček zařízení dodavatele
8-LFPAK
Balení / pouzdro
SOT-1205, 8-LFPAK56
Další informace
Standardní balíček
3,000
Další jména
488-NVTYS029N08HLTWGDKR
488-NVTYS029N08HLTWGTR
488-NVTYS029N08HLTWGCT
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikace
Související produkty
MCU01N60-TP
MCU01N60-TP
DMN3110SQ-7
MOSFET BVDSS: 25V~30V SOT23 T&R
DMTH84M1SPS-13
MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI50
