Číslo produktu výrobce:
SSU1N50BTU
Product Overview
Výrobce:
onsemi
Číslo dílu:
SSU1N50BTU-DG
Popis:
MOSFET N-CH 520V 1.3A IPAK
Podrobný popis:
N-Channel 520 V 1.3A (Tc) 2.5W (Ta), 26W (Tc) Through Hole I-PAK
Inventář:
12856822
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
SSU1N50BTU Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
onsemi
Balení
-
Řada
-
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
520 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
1.3A (Tc)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
5.3Ohm @ 650mA, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 250µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
11 nC @ 10 V
VGS (Max)
±30V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
340 pF @ 25 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
2.5W (Ta), 26W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček zařízení dodavatele
I-PAK
Balení / pouzdro
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Základní číslo výrobku
SSU1N50
Technický list a dokumenty
Další informace
Standardní balíček
70
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
Not Applicable
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativní modely
ČÍSLO DÍLU
STD2HNK60Z-1
VÝROBCE
STMicroelectronics
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
3054
DiGi ČÍSLO DÍLU
STD2HNK60Z-1-DG
CENY ZA JEDNOTKU
0.51
Druh náhrady
Similar
DIGI Certifikace
Související produkty
NTD20N06L-001
MOSFET N-CH 60V 20A IPAK
UPA2738GR-E1-AT
MOSFET P-CH 30V 10A 8SOP
NTB082N65S3F
MOSFET N-CH 650V 40A D2PAK
