SSU1N50BTU
Číslo produktu výrobce:

SSU1N50BTU

Product Overview

Výrobce:

onsemi

Číslo dílu:

SSU1N50BTU-DG

Popis:

MOSFET N-CH 520V 1.3A IPAK
Podrobný popis:
N-Channel 520 V 1.3A (Tc) 2.5W (Ta), 26W (Tc) Through Hole I-PAK

Inventář:

12856822
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat

SSU1N50BTU Technické specifikace

Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
onsemi
Balení
-
Řada
-
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
520 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
1.3A (Tc)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
5.3Ohm @ 650mA, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 250µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
11 nC @ 10 V
VGS (Max)
±30V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
340 pF @ 25 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
2.5W (Ta), 26W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček zařízení dodavatele
I-PAK
Balení / pouzdro
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Základní číslo výrobku
SSU1N50

Technický list a dokumenty

Katalogové listy
Technické listy
HTML Datový list

Další informace

Standardní balíček
70

Klasifikace životního prostředí a exportu

Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
Not Applicable
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Alternativní modely

ČÍSLO DÍLU
STD2HNK60Z-1
VÝROBCE
STMicroelectronics
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
3054
DiGi ČÍSLO DÍLU
STD2HNK60Z-1-DG
CENY ZA JEDNOTKU
0.51
Druh náhrady
Similar
DIGI Certifikace
Související produkty
onsemi

NTD20N06L-001

MOSFET N-CH 60V 20A IPAK

renesas-electronics-america

UPA2738GR-E1-AT

MOSFET P-CH 30V 10A 8SOP

onsemi

NTB082N65S3F

MOSFET N-CH 650V 40A D2PAK

onsemi

NTMFS4833NAT1G

MOSFET N-CH 30V 16A/191A 5DFN