Číslo produktu výrobce:
PJD14P06A_L2_00001
Product Overview
Výrobce:
Panjit International Inc.
Číslo dílu:
PJD14P06A_L2_00001-DG
Popis:
60V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Podrobný popis:
P-Channel 60 V 3.2A (Ta), 14A (Tc) 3.2W (Ta), 40W (Tc) Surface Mount TO-252
Inventář:
2965 Ks Nový Originál Skladem
12974357
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
PJD14P06A_L2_00001 Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
PANJIT
Balení
Tape & Reel (TR)
Řada
-
Stav produktu
Active
Typ FET
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
60 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
3.2A (Ta), 14A (Tc)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
4.5V, 10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
110mOhm @ 6A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2.5V @ 250µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
10 nC @ 10 V
VGS (Max)
±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
785 pF @ 30 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
3.2W (Ta), 40W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček zařízení dodavatele
TO-252
Balení / pouzdro
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Základní číslo výrobku
PJD14
Technický list a dokumenty
Katalogové listy
Další informace
Standardní balíček
3,000
Další jména
3757-PJD14P06A_L2_00001TR
3757-PJD14P06A_L2_00001CT
3757-PJD14P06A_L2_00001DKR
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikace
Související produkty
PJQ4476AP-AU_R2_000A1
100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
PJL9415_R2_00001
30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
EPC7014UBC
GAN FET HEMT 60V 1A COTS 4UB
