PJQ4441P_R2_00001
Číslo produktu výrobce:

PJQ4441P_R2_00001

Product Overview

Výrobce:

Panjit International Inc.

Číslo dílu:

PJQ4441P_R2_00001-DG

Popis:

40V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Podrobný popis:
P-Channel 40 V 8.5A (Ta), 44A (Tc) 2W (Ta), 59.5W (Tc) Surface Mount DFN3333-8

Inventář:

4882 Ks Nový Originál Skladem
12973479
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat

PJQ4441P_R2_00001 Technické specifikace

Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
PANJIT
Balení
Tape & Reel (TR)
Řada
-
Stav produktu
Active
Typ FET
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
40 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
8.5A (Ta), 44A (Tc)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
4.5V, 10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
17mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2.5V @ 250µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
19 nC @ 4.5 V
VGS (Max)
±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
2030 pF @ 25 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
2W (Ta), 59.5W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček zařízení dodavatele
DFN3333-8
Balení / pouzdro
8-PowerVDFN
Základní číslo výrobku
PJQ4441

Technický list a dokumenty

Katalogové listy

Další informace

Standardní balíček
5,000
Další jména
3757-PJQ4441P_R2_00001DKR
3757-PJQ4441P_R2_00001CT
3757-PJQ4441P_R2_00001TR

Klasifikace životního prostředí a exportu

Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikace
Související produkty
nxp-semiconductors

PMV100XPEA215

NEXPERIA PMV100 - P-CHANNEL MOSF

onsemi

NTC080N120SC1

SIC MOS WAFER SALES 80MOHM 1200V

fairchild-semiconductor

NDP708AE

60A, 80V, 0.022OHM, N-CHANNEL MO

panjit

PJD9P06A_L2_00001

60V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M