Číslo produktu výrobce:
PJT7601_R1_00001
Product Overview
Výrobce:
Panjit International Inc.
Číslo dílu:
PJT7601_R1_00001-DG
Popis:
MOSFET N/P-CH 20V 0.5A SOT363
Podrobný popis:
Mosfet Array 20V 500mA (Ta) 350mW (Ta) Surface Mount SOT-363
Inventář:
8511 Ks Nový Originál Skladem
12970261
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
PJT7601_R1_00001 Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, FET, MOSFET pole
Výrobce
PANJIT
Balení
Tape & Reel (TR)
Řada
-
Stav produktu
Active
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Konfigurace
N and P-Channel Complementary
Funkce FET
Logic Level Gate, 1.2V Drive
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
20V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
500mA (Ta)
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
400mOhm @ 500mA, 4.5V, 1.2Ohm @ 500mA, 4.5V
vgs(th) (max.) @ id
1V @ 250µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
1.4nC @ 4.5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
67pF @ 10V, 38pF @ 10V
Výkon - Max
350mW (Ta)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balení / pouzdro
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Balíček zařízení dodavatele
SOT-363
Základní číslo výrobku
PJT7601
Technický list a dokumenty
Katalogové listy
Další informace
Standardní balíček
3,000
Další jména
3757-PJT7601_R1_00001DKR
3757-PJT7601_R1_00001CT
3757-PJT7601_R1_00001TR
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI Certifikace
Související produkty
PJL9606_R2_00001
MOSFET N/P-CH 30V 7A/6A 8SOP
PJX138L_R1_00001
MOSFET 2N-CH 60V 0.16A SOT563
PJQ2800_R1_00001
MOSFET 2N-CH 20V 5.2A 6DFN
