Číslo produktu výrobce:
EMA8T2R
Product Overview
Výrobce:
Rohm Semiconductor
Číslo dílu:
EMA8T2R-DG
Popis:
TRANS PREBIAS DUAL PNP EMT5
Podrobný popis:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 300mW Surface Mount EMT5
Inventář:
13520787
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
EMA8T2R Technické specifikace
Kategorie
Bipolární (BJT), Bipolární tranzistorové pole, předbiasované
Výrobce
ROHM Semiconductor
Balení
Tape & Reel (TR)
Řada
-
Stav produktu
Not For New Designs
Typ tranzistoru
2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Proud - sběrač (Ic) (Max)
100mA
Napětí - Průraz kolektoru emitoru (Max)
50V
Rezistor - Báze (R1)
10kOhms
Rezistor - Báze emitoru (R2)
47kOhms
Zesílení DC Proudu (hFE) (Min) @ Ic, Vce
68 @ 5mA, 5V
Vce Sytost (Max) @ Ib, Ic
300mV @ 500µA, 10mA
Proud - Odpojení sběrače (Max)
500nA
Frekvence - přechod
-
Výkon - Max
300mW
Typ montáže
Surface Mount
Balení / pouzdro
6-SMD (5 Leads), Flat Lead
Balíček zařízení dodavatele
EMT5
Základní číslo výrobku
EMA8T2
Další informace
Standardní balíček
8,000
Další jména
EMA8T2RTR
EMA8T2RCT
EMA8T2RDKR
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Alternativní modely
ČÍSLO DÍLU
RN2707JE(TE85L,F)
VÝROBCE
Toshiba Semiconductor and Storage
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
1645
DiGi ČÍSLO DÍLU
RN2707JE(TE85L,F)-DG
CENY ZA JEDNOTKU
0.05
Druh náhrady
Direct
DIGI Certifikace
Související produkty
EMD3T2R
TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W EMT6
EMH11T2R
TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W EMT6
EMD6FHAT2R
PNP+NPN DIGITAL TRANSISTOR (CORR
