Číslo produktu výrobce:
EMB10FHAT2R
Product Overview
Výrobce:
Rohm Semiconductor
Číslo dílu:
EMB10FHAT2R-DG
Popis:
PNP+PNP DIGITAL TRANSISTOR (CORR
Podrobný popis:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 150mW Surface Mount EMT6
Inventář:
12966480
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
EMB10FHAT2R Technické specifikace
Kategorie
Bipolární (BJT), Bipolární tranzistorové pole, předbiasované
Výrobce
ROHM Semiconductor
Balení
-
Řada
-
Stav produktu
Not For New Designs
Typ tranzistoru
2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Proud - sběrač (Ic) (Max)
100mA
Napětí - Průraz kolektoru emitoru (Max)
50V
Rezistor - Báze (R1)
2.2kOhms
Rezistor - Báze emitoru (R2)
47kOhms
Zesílení DC Proudu (hFE) (Min) @ Ic, Vce
80 @ 10mA, 5V
Vce Sytost (Max) @ Ib, Ic
300mV @ 250µA, 5mA
Proud - Odpojení sběrače (Max)
500nA
Frekvence - přechod
250MHz
Výkon - Max
150mW
Třída
Automotive
Kvalifikace
AEC-Q101
Typ montáže
Surface Mount
Balení / pouzdro
SOT-563, SOT-666
Balíček zařízení dodavatele
EMT6
Základní číslo výrobku
EMB10
Technický list a dokumenty
Katalogové listy
Další informace
Standardní balíček
8,000
Další jména
846-EMB10FHAT2RCT
846-EMB10FHAT2RTR
846-EMB10FHAT2RDKR
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
Alternativní modely
ČÍSLO DÍLU
RN2905FE,LF(CT
VÝROBCE
Toshiba Semiconductor and Storage
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
0
DiGi ČÍSLO DÍLU
RN2905FE,LF(CT-DG
CENY ZA JEDNOTKU
0.02
Druh náhrady
Similar
ČÍSLO DÍLU
PEMB10,115
VÝROBCE
Nexperia USA Inc.
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
4000
DiGi ČÍSLO DÍLU
PEMB10,115-DG
CENY ZA JEDNOTKU
0.07
Druh náhrady
Similar
DIGI Certifikace
Související produkty
UMB11NFHATN
PNP+PNP DIGITAL TRANSISTOR (CORR
EMB3FHAT2R
PNP+PNP DIGITAL TRANSISTOR (CORR
RN2902,LXHF(CT
AUTO AEC-Q 2-IN-1 (POINT-SYM) PN