Číslo produktu výrobce:
EMF8T2R
Product Overview
Výrobce:
Rohm Semiconductor
Číslo dílu:
EMF8T2R-DG
Popis:
TRANS NPN PREBIAS/NPN 0.15W EMT6
Podrobný popis:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN Pre-Biased, 1 NPN 50V, 12V 100mA, 500mA 250MHz, 320MHz 150mW Surface Mount EMT6
Inventář:
13523554
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
EMF8T2R Technické specifikace
Kategorie
Bipolární (BJT), Bipolární tranzistorové pole, předbiasované
Výrobce
ROHM Semiconductor
Balení
Tape & Reel (TR)
Řada
-
Stav produktu
Not For New Designs
Typ tranzistoru
1 NPN Pre-Biased, 1 NPN
Proud - sběrač (Ic) (Max)
100mA, 500mA
Napětí - Průraz kolektoru emitoru (Max)
50V, 12V
Rezistor - Báze (R1)
47kOhms
Rezistor - Báze emitoru (R2)
47kOhms
Zesílení DC Proudu (hFE) (Min) @ Ic, Vce
68 @ 5mA, 5V / 270 @ 10mA, 2V
Vce Sytost (Max) @ Ib, Ic
300mV @ 500µA, 10mA / 250mV @ 10mA, 200mA
Proud - Odpojení sběrače (Max)
500nA
Frekvence - přechod
250MHz, 320MHz
Výkon - Max
150mW
Typ montáže
Surface Mount
Balení / pouzdro
SOT-563, SOT-666
Balíček zařízení dodavatele
EMT6
Základní číslo výrobku
EMF8T2
Další informace
Standardní balíček
8,000
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI Certifikace
Související produkty
