Číslo produktu výrobce:
EMG9T2R
Product Overview
Výrobce:
Rohm Semiconductor
Číslo dílu:
EMG9T2R-DG
Popis:
TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W EMT5
Podrobný popis:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 150mW Surface Mount EMT5
Inventář:
7981 Ks Nový Originál Skladem
13520718
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
EMG9T2R Technické specifikace
Kategorie
Bipolární (BJT), Bipolární tranzistorové pole, předbiasované
Výrobce
ROHM Semiconductor
Balení
Tape & Reel (TR)
Řada
-
Stav produktu
Active
Typ tranzistoru
2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Proud - sběrač (Ic) (Max)
100mA
Napětí - Průraz kolektoru emitoru (Max)
50V
Rezistor - Báze (R1)
10kOhms
Rezistor - Báze emitoru (R2)
10kOhms
Zesílení DC Proudu (hFE) (Min) @ Ic, Vce
30 @ 5mA, 5V
Vce Sytost (Max) @ Ib, Ic
300mV @ 500µA, 10mA
Proud - Odpojení sběrače (Max)
500nA
Frekvence - přechod
250MHz
Výkon - Max
150mW
Typ montáže
Surface Mount
Balení / pouzdro
6-SMD (5 Leads), Flat Lead
Balíček zařízení dodavatele
EMT5
Základní číslo výrobku
EMG9T2
Technický list a dokumenty
Dokumenty spolehlivosti
Zdroje návrhu
Katalogové listy
Další informace
Standardní balíček
8,000
Další jména
EMG9T2RDKR
EMG9T2RCT
EMG9T2RTR
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
DIGI Certifikace
Související produkty
EMH2T2R
TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W EMT6
EMH11FHAT2R
NPN+NPN DIGITAL TRANSISTOR (CORR
EMH61T2R
TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W EMT6
