Domů
Produkty
Výrobci
O DiGi
Kontaktujte nás
Blogy a příspěvky
Žádost o cenovou nabídku / Nabídka
Czech
Přihlásit se
Výběrový jazyk
Aktuální jazyk dle vašeho výběru:
Czech
Přepnout:
Angličtina
Evropa
Spojené království
Francie
Španělsko
Turecko
Moldavsko
Litva
Norsko
Německo
Portugalsko
Slovensko
LTALY
Finsko
Ruština
Bulharsko
Dánsko
Estonsko
Polsko
Ukrajina
Slovinsko
Čeština
Řečtina
Chorvatsko
Izrael
Srbsko
Bělorusko
Nizozemsko
Švédsko
Černá Hora
Baskičtina
Island
Bosna
Maďarština
Rumunsko
Rakousko
Belgie
Irsko
Asie / Tichomoří
Čína
Vietnam
Indonésie
Thajsko
Laos
Filipínština
Malajsie
Korea
Japonsko
Hongkong
Tchaj-wan
Singapur
Pákistán
Saúdská Arábie
Katar
Kuvajt
Kambodža
Myanmar
Afrika, Indie a Střední východ
Spojené arabské emiráty
Tádžikistán
Madagaskar
Indie
Írán
DR Kongo
Jihoafrická republika
Egypt
Keňa
Tanzanie
Ghana
Senegal
Maroko
Tunisko
Jižní Amerika / Oceánie
Nový Zéland
Angola
Brazílie
Mosambik
Peru
Kolumbie
Chile
Venezuela
Ekvádor
Bolívie
Uruguay
Argentina
Paraguay
Austrálie
Severní Amerika
Spojené státy americké
Haiti
Kanada
Kostarika
Mexiko
O DiGi
O nás
O nás
Naše certifikace
DiGi Úvod
Proč DiGi
Politika
Kvalitní politika
Podmínky použití
Soulad s RoHS
Proces vrácení
Zdroje
Kategorie produktů
Výrobci
Blogy a příspěvky
Služby
Záruční doba kvality
Způsob platby
Globální zásilka
Ceny za přepravu
Časté dotazy
Číslo produktu výrobce:
IMD10AT108
Product Overview
Výrobce:
Rohm Semiconductor
Číslo dílu:
IMD10AT108-DG
Popis:
TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SMT6
Podrobný popis:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA, 500mA 250MHz, 200MHz 300mW Surface Mount SMT6
Inventář:
4805 Ks Nový Originál Skladem
13523492
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
*
Společnost
*
Jméno kontaktu
*
Telefon
*
E-mail
Dodací adresa
Zpráva
(
*
) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
IMD10AT108 Technické specifikace
Kategorie
Bipolární (BJT), Bipolární tranzistorové pole, předbiasované
Výrobce
ROHM Semiconductor
Balení
Tape & Reel (TR)
Řada
-
Stav produktu
Active
Typ tranzistoru
1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Proud - sběrač (Ic) (Max)
100mA, 500mA
Napětí - Průraz kolektoru emitoru (Max)
50V
Rezistor - Báze (R1)
10kOhms, 100Ohms
Rezistor - Báze emitoru (R2)
10kOhms
Zesílení DC Proudu (hFE) (Min) @ Ic, Vce
100 @ 1mA, 5V / 68 @ 100mA, 5V
Vce Sytost (Max) @ Ib, Ic
300mV @ 1mA, 10mA / 300mV @ 5mA, 100mA
Proud - Odpojení sběrače (Max)
500nA
Frekvence - přechod
250MHz, 200MHz
Výkon - Max
300mW
Typ montáže
Surface Mount
Balení / pouzdro
SC-74, SOT-457
Balíček zařízení dodavatele
SMT6
Základní číslo výrobku
IMD10
Technický list a dokumenty
Dokumenty spolehlivosti
SMT6 DTRTG Reliability Test
Zdroje návrhu
SMT6 Inner Structure
Katalogové listy
IMD10AT108
SMT6 T108 Taping Spec
Další informace
Standardní balíček
3,000
Další jména
IMD10AT108CT
Q3911131F
IMD10AT108DKR
IMD10AT108TR
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI Certifikace
Související produkty
EMH15T2R
TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W 6EMT
EMH75T2R
TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W EMT6
IMH5AT108
TRANS PREBIAS DUAL NPN SMT6
EMF8T2R
TRANS NPN PREBIAS/NPN 0.15W EMT6