Číslo produktu výrobce:
QH8M22TCR
Product Overview
Výrobce:
Rohm Semiconductor
Číslo dílu:
QH8M22TCR-DG
Popis:
MOSFET N/P-CH 40V 4.5A/2A TSMT8
Podrobný popis:
Mosfet Array 40V 4.5A (Ta), 2A (Ta) 1.1W (Ta) Surface Mount TSMT8
Inventář:
18281 Ks Nový Originál Skladem
13526163
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
QH8M22TCR Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, FET, MOSFET pole
Výrobce
ROHM Semiconductor
Balení
Tape & Reel (TR)
Řada
-
Stav produktu
Active
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Konfigurace
N and P-Channel
Funkce FET
-
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
40V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
4.5A (Ta), 2A (Ta)
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
46mOhm @ 4.5A, 10V, 190mOhm @ 2A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2.5V @ 10µA, 3V @ 1mA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
2.6nC @ 10V, 9.5nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
193pF @ 20V, 450pF @ 20V
Výkon - Max
1.1W (Ta)
Provozní teplota
150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balení / pouzdro
8-SMD, Flat Lead
Balíček zařízení dodavatele
TSMT8
Základní číslo výrobku
QH8M22
Technický list a dokumenty
Katalogové listy
Další informace
Standardní balíček
3,000
Další jména
QH8M22TCRTR
QH8M22TCRCT
QH8M22TCRDKR
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikace
Související produkty
US6M2GTR
MOSFET N/P-CH 30V/20V 1.5A TUMT6
QS8M13TCR
MOSFET N/P-CH 30V 6A/5A TSMT8
SP8K3FU6TB
MOSFET 2N-CH 30V 7A 8SOP