Číslo produktu výrobce:
QH8MA4TCR
Product Overview
Výrobce:
Rohm Semiconductor
Číslo dílu:
QH8MA4TCR-DG
Popis:
MOSFET N/P-CH 30V 9A/8A TSMT8
Podrobný popis:
Mosfet Array 30V 9A, 8A 1.5W Surface Mount TSMT8
Inventář:
3395 Ks Nový Originál Skladem
13525919
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
QH8MA4TCR Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, FET, MOSFET pole
Výrobce
ROHM Semiconductor
Balení
Tape & Reel (TR)
Řada
-
Stav produktu
Active
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Konfigurace
N and P-Channel
Funkce FET
-
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
30V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
9A, 8A
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
16mOhm @ 9A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2.5V @ 1mA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
15.5nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
640pF @ 15V
Výkon - Max
1.5W
Provozní teplota
150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balení / pouzdro
8-SMD, Flat Lead
Balíček zařízení dodavatele
TSMT8
Základní číslo výrobku
QH8MA4
Technický list a dokumenty
Zdroje návrhu
Katalogové listy
Další informace
Standardní balíček
3,000
Další jména
QH8MA4TCRTR-ND
QH8MA4TCRCT
846-QH8MA4TCRCT
QH8MA4TCRTR
QH8MA4TCRDKR-ND
846-QH8MA4TCRDKR
QH8MA4TCRDKR
846-QH8MA4TCRTR
QH8MA4TCRCT-ND
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikace
Související produkty
UM6K31NFHATCN
MOSFET 2N-CH 60V 0.25A UMT6
US6J12TCR
MOSFET 2P-CH 12V 2A TUMT6
QH8K51TR
MOSFET 2N-CH 100V 2A TSMT8