Číslo produktu výrobce:
US6J12TCR
Product Overview
Výrobce:
Rohm Semiconductor
Číslo dílu:
US6J12TCR-DG
Popis:
MOSFET 2P-CH 12V 2A TUMT6
Podrobný popis:
Mosfet Array 12V 2A (Ta) 910mW (Ta) Surface Mount TUMT6
Inventář:
3000 Ks Nový Originál Skladem
13525978
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
US6J12TCR Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, FET, MOSFET pole
Výrobce
ROHM Semiconductor
Balení
Tape & Reel (TR)
Řada
-
Stav produktu
Active
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Konfigurace
2 P-Channel (Dual)
Funkce FET
-
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
12V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
2A (Ta)
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
105mOhm @ 2A, 4.5V
vgs(th) (max.) @ id
1V @ 1mA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
7.6nC @ 4.5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
850pF @ 6V
Výkon - Max
910mW (Ta)
Provozní teplota
150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balení / pouzdro
6-SMD, Flat Leads
Balíček zařízení dodavatele
TUMT6
Základní číslo výrobku
US6J12
Technický list a dokumenty
Katalogové listy
Další informace
Standardní balíček
3,000
Další jména
US6J12TCRTR
US6J12TCRCT
US6J12TCRDKR
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI Certifikace
Související produkty
