Číslo produktu výrobce:
SH8J66TB1
Product Overview
Výrobce:
Rohm Semiconductor
Číslo dílu:
SH8J66TB1-DG
Popis:
MOSFET 2P-CH 30V 9A 8SOP
Podrobný popis:
Mosfet Array 30V 9A 2W Surface Mount 8-SOP
Inventář:
4713 Ks Nový Originál Skladem
13526055
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
SH8J66TB1 Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, FET, MOSFET pole
Výrobce
ROHM Semiconductor
Balení
Tape & Reel (TR)
Řada
-
Stav produktu
Active
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Konfigurace
2 P-Channel (Dual)
Funkce FET
Logic Level Gate
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
30V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
9A
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
18.5mOhm @ 9A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2.5V @ 1mA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
35nC @ 5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
3000pF @ 10V
Výkon - Max
2W
Provozní teplota
150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balení / pouzdro
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Balíček zařízení dodavatele
8-SOP
Základní číslo výrobku
SH8J66
Technický list a dokumenty
Dokumenty spolehlivosti
Zdroje návrhu
Katalogové listy
Další informace
Standardní balíček
2,500
Další jména
SH8J66TB1TR
SH8J66TB1DKR
SH8J66TB1CT
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikace
Související produkty
