Číslo produktu výrobce:
QS8M12TCR
Product Overview
Výrobce:
Rohm Semiconductor
Číslo dílu:
QS8M12TCR-DG
Popis:
MOSFET N/P-CH 30V 4A TSMT8
Podrobný popis:
Mosfet Array 30V 4A 1.5W Surface Mount TSMT8
Inventář:
13526085
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
QS8M12TCR Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, FET, MOSFET pole
Výrobce
ROHM Semiconductor
Balení
Tape & Reel (TR)
Řada
-
Stav produktu
Not For New Designs
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Konfigurace
N and P-Channel
Funkce FET
Logic Level Gate
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
30V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
4A
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
42mOhm @ 4A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2.5V @ 1mA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
3.4nC @ 5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
250pF @ 10V
Výkon - Max
1.5W
Provozní teplota
150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balení / pouzdro
8-SMD, Flat Lead
Balíček zařízení dodavatele
TSMT8
Základní číslo výrobku
QS8M12
Další informace
Standardní balíček
3,000
Další jména
QS8M12TCRDKR
QS8M12TCRTR
QS8M12TCRCT
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativní modely
ČÍSLO DÍLU
ECH8660-TL-H
VÝROBCE
onsemi
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
2300
DiGi ČÍSLO DÍLU
ECH8660-TL-H-DG
CENY ZA JEDNOTKU
0.20
Druh náhrady
Similar
DIGI Certifikace
Související produkty
