QS8M31TR
Číslo produktu výrobce:

QS8M31TR

Product Overview

Výrobce:

Rohm Semiconductor

Číslo dílu:

QS8M31TR-DG

Popis:

MOSFET N/P-CH 60V 3A/2A TSMT8
Podrobný popis:
Mosfet Array 60V 3A (Ta), 2A (Ta) 1.1W (Ta) Surface Mount TSMT8

Inventář:

3630 Ks Nový Originál Skladem
13526109
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat

QS8M31TR Technické specifikace

Kategorie
FETy, MOSFETy, FET, MOSFET pole
Výrobce
ROHM Semiconductor
Balení
Tape & Reel (TR)
Řada
-
Stav produktu
Active
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Konfigurace
N and P-Channel
Funkce FET
-
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
60V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
3A (Ta), 2A (Ta)
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
112mOhm @ 3A, 10V, 210mOhm @ 2A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2.5V @ 1mA, 3V @ 1mA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
4nC @ 5V, 7.2nC @ 5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
270pF @ 10V, 750pF @ 10V
Výkon - Max
1.1W (Ta)
Provozní teplota
150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balení / pouzdro
8-SMD, Flat Lead
Balíček zařízení dodavatele
TSMT8
Základní číslo výrobku
QS8M31

Technický list a dokumenty

Katalogové listy

Další informace

Standardní balíček
3,000
Další jména
QS8M31DKR
QS8M31CT

Klasifikace životního prostředí a exportu

Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikace
Související produkty
rohm-semi

QH8K26TR

MOSFET 2N-CH 40V 7A TSMT8

rohm-semi

SH8J65TB1

MOSFET 2P-CH 30V 7A 8SOP

rohm-semi

QS8J4TR

MOSFET 2P-CH 30V 4A TSMT8

rohm-semi

QH8M22TCR

MOSFET N/P-CH 40V 4.5A/2A TSMT8