Číslo produktu výrobce:
QS8M31TR
Product Overview
Výrobce:
Rohm Semiconductor
Číslo dílu:
QS8M31TR-DG
Popis:
MOSFET N/P-CH 60V 3A/2A TSMT8
Podrobný popis:
Mosfet Array 60V 3A (Ta), 2A (Ta) 1.1W (Ta) Surface Mount TSMT8
Inventář:
3630 Ks Nový Originál Skladem
13526109
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
QS8M31TR Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, FET, MOSFET pole
Výrobce
ROHM Semiconductor
Balení
Tape & Reel (TR)
Řada
-
Stav produktu
Active
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Konfigurace
N and P-Channel
Funkce FET
-
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
60V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
3A (Ta), 2A (Ta)
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
112mOhm @ 3A, 10V, 210mOhm @ 2A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2.5V @ 1mA, 3V @ 1mA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
4nC @ 5V, 7.2nC @ 5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
270pF @ 10V, 750pF @ 10V
Výkon - Max
1.1W (Ta)
Provozní teplota
150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balení / pouzdro
8-SMD, Flat Lead
Balíček zařízení dodavatele
TSMT8
Základní číslo výrobku
QS8M31
Technický list a dokumenty
Katalogové listy
Další informace
Standardní balíček
3,000
Další jména
QS8M31DKR
QS8M31CT
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikace
Související produkty
