QS8J4TR
Číslo produktu výrobce:

QS8J4TR

Product Overview

Výrobce:

Rohm Semiconductor

Číslo dílu:

QS8J4TR-DG

Popis:

MOSFET 2P-CH 30V 4A TSMT8
Podrobný popis:
Mosfet Array 30V 4A 550mW Surface Mount TSMT8

Inventář:

8078 Ks Nový Originál Skladem
13526152
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat

QS8J4TR Technické specifikace

Kategorie
FETy, MOSFETy, FET, MOSFET pole
Výrobce
ROHM Semiconductor
Balení
Tape & Reel (TR)
Řada
-
Stav produktu
Active
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Konfigurace
2 P-Channel (Dual)
Funkce FET
Logic Level Gate
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
30V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
4A
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
56mOhm @ 4A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2.5V @ 1mA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
13nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
800pF @ 10V
Výkon - Max
550mW
Provozní teplota
150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balení / pouzdro
8-SMD, Flat Lead
Balíček zařízení dodavatele
TSMT8
Základní číslo výrobku
QS8J4

Technický list a dokumenty

Další informace

Standardní balíček
3,000
Další jména
QS8J4CT
QS8J4DKR

Klasifikace životního prostředí a exportu

Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI Certifikace
Související produkty
rohm-semi

QH8M22TCR

MOSFET N/P-CH 40V 4.5A/2A TSMT8

rohm-semi

US6M2GTR

MOSFET N/P-CH 30V/20V 1.5A TUMT6

rohm-semi

QS8M13TCR

MOSFET N/P-CH 30V 6A/5A TSMT8

rohm-semi

SP8K3FU6TB

MOSFET 2N-CH 30V 7A 8SOP